改善開(kāi)關(guān)電流電路主要誤差的方案

　　1 時(shí)鐘饋通誤差分析

　　時(shí)鐘饋通誤差是一個(gè)復(fù)雜的物理現(xiàn)象，在這里以第二代開(kāi)關(guān)電流存儲(chǔ)單元為例進(jìn)行分析。

　　圖1為存儲(chǔ)單元，圖2為開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)的電荷注入示意圖。

　　對(duì)圖1所示的存儲(chǔ)單元，Ms的溝道電荷可以近似地描述為：

　　其中：Cax是柵氧化層單位面積電容;wseff和Lseff分別是Ms的有效溝道寬度和長(zhǎng)度;Vgs是Ms的柵一源電壓;VT是Ms的閾值電壓，由式(2)給出：

　　式中：2 |φF|是強(qiáng)反型層表面勢(shì)壘;r是體閾值參數(shù);VT0是Vgs=0時(shí)的閾值電壓。

　　一般情況下，1 V

　　將式(3)代入式(1)，得到注入存儲(chǔ)電容的溝道電荷為：

　　其中：aq表示溝道電荷注入存儲(chǔ)電容的分配系數(shù)，典型值為：aq=1/2。由柵極擴(kuò)散覆蓋電容Co1，注入存儲(chǔ)電容的電荷為：

　　根據(jù)式(4)和式(5)司得整個(gè)注入電荷的總量為：

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