一種高精度BiCMOS電流模帶隙基準源
加入技術交流群
2 帶隙基準電路仿真結果
電路采用Xfab O．35μm BiCMOS的工藝模型庫，用Cadence Specte仿真器對電路進行仿真模擬。當電源電壓為3．3 V時，圖6和圖7分別是溫度相關性和電源抑制比(PSRR)的曲線圖。結果顯示，本帶隙基準輸出O．5 V穩定電壓，在-40～+125℃的溫度范圍內，溫漂為15 ppm，電路表現出良好的溫度特性。同時，低頻時基準電壓源的電源抑制比可達-103 dB，在40 kHz以前電源抑制比小于-100 dB。圖8是本電路在不同工作電壓下的輸出電壓，可見電路正常啟動電壓為2 V，電路啟動后基準電壓的變化小于O．06 mV。
3 結語
帶隙基準電壓電路作為模擬電路中的重要模塊對A／D采集精度、電源管理芯片的性能都有重要影響。本文設計了一種高精度、高電源抑制比、低電壓的帶隙基準電路，并且實現了對基準電壓的外部修調。結果表明：電路在3．3 V電源電壓，-40～+125℃下能提供穩定的0．5 V基準電壓輸出，溫漂15 ppm，低頻時電源抑制比-103 dB，達到了設計要求。
評論