性能優良的混合雙路驅動器集成電路

主要參數選擇如下。

1）RTD的選擇 在一些特定電路中，需要更長的內部互鎖時間，可通過在腳R_TD外接電阻來實現。由兩個外接電阻R_TD設置信號延遲時間，電阻接在引腳R_TD和V_S之間，其典型時間t_TD=2.7＋0.13R_TD，R_TD100kΩ。式中，R_TD單位為kΩ。

2）RCE、CCE的選擇

V_CEstat的選擇如圖5所示。

圖 5 V_CEstat與R_CE的 關 系 曲 線

計算R_CE（R_CE>10kΩ）的公式為

V_CEstat=[9R_CE(kΩ)－25]/[10＋R_CE(kΩ)]

式中：V_CEstat的單位為V。

t_min(t_min10μs)的選擇

根據公式計算C_CE(C_CEmax=2.7nF)

t_min=C_CE(nF)[10R_CE(kΩ)/(10＋R_CE)]×ln[(15－V_CEstat(V))/(10－V_CEstat)]

典型參數：R_TD=0，R_CE=24kΩ，C_CE=330pF，V_CEstat=5.6V，t_min=1.75μs。

3）R_ON、R_OFF的選擇 外接電阻RON用于設置IGBT開啟速度，R_ON越大，開啟速度越低，且續流二極管反向恢復峰值電流減小；外接電阻R_OFF用于設置IGBT關斷速度，R_OFF越大，關斷越慢，且寄生電感兩端電壓也下降。典型值：R_ONmin=3.3Ω，R_OFFmin=3.3Ω。

4）IGBT模塊過溫保護電路的連接模塊溫度監控可由ERROR端與GND端連接雙金屬熱保護器來實現。超過標定溫度時，保護器觸點打開，使ERROR端有錯誤信號輸出。

5 結語

實踐證明，SKHI21/SKHI22確實是一款性能優良的混合雙路IGBT或MOSFET驅動器集成電路。