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        一種DC/DC變換器中差分延遲線ADC的實現

        作者: 時間:2011-08-28 來源:網絡 收藏

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        本文引用地址:http://www.104case.com/article/178684.htm

          3.1 結構分析

          結構簡單,功耗小,但易受工藝和溫度環(huán)境影響,且采樣信號需外部產生,增加了電路的復雜性,而且采樣信號的延遲大小會影響ADC量化電平的大小,使得系統(tǒng)輸出不易穩(wěn)定。

          

        差分延遲線ADC結構

          延遲線結構是對延遲線結構的改進,結構圖如圖5所示。差分延遲線ADC由兩條全同的延遲鏈組成,主延遲鏈(Primary delay-line)和參考延遲鏈(Reference delay-line)。參考延遲鏈可經主延遲鏈復制而來。兩條差分延遲鏈共用一個啟動信號AD_Start,使兩條延遲鏈的工作狀態(tài)完全相同。差分延遲鏈的兩個輸入分別是采樣電壓Vsense和基準。

          電壓Vref,Vsense須小于Vref,根據電壓越大延遲越小的原理,參考延遲鏈先于主延遲鏈傳播完,將與主延遲鏈相連的D觸發(fā)器打開,對主延遲鏈上的Vsense進行采樣。這樣就了將采樣電壓與基準電壓作比較,再通過譯碼電路得到系統(tǒng)需要的數字誤差信號。

          差分延遲線ADC的控制信號在內部產生,進一步簡化了電路結構。采用差分形式輸入,使得采樣電壓和基準電壓同時受到溫度和工藝偏差的影響,減少主延遲鏈的延時偏差。

          3.2 差分延遲線ADC建模

          設延遲鏈中的延遲單元個數為N,延遲時間td是VDD的函數:td=td(VDD),則有

          

          即轉換時間Tc是分辨率Vq,延遲時間td以及延遲函數的斜率的函數。

          

          圖6為0.13μm CMOS工藝下單個延遲單元與VDD的關系曲線。

          4 設計方法和仿真結果

          延遲單元對精度要求較高,采用全定制設計,而譯碼電路對精度要求較低,采用基于標準庫單元設計,整體電路使用Hsim進行數?;旌戏抡妗?/p>

          

          設計時,基準電壓為1.5V,工作頻率是1.5MHz,輸入電壓從0.7~1.5V線性上升,輸出為譯碼后的結果,即6位數字信號e。Vsense每增加或減少12.5mV,e增加或減少“1”,但e的最大值是63。圖7為0.13μm CMOS工藝下差分延遲線ADC的輸入輸出曲線,可以看出,差分延遲線ADC的輸出沒有明顯偏移,零輸入對應零輸出,線性度良好。

          5 結束語

          該差分延遲線ADC電路結構簡單,不需要外部電路產生控制信號,可抵消部分工藝偏差。該ADC轉換速率很快,功耗低,適合應用在高頻數字中。


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