基于電容一頻率轉化原理的電容接口電路設計

　　施密特觸發器和D觸發器是電容接口電路的核心模塊，對上述電路進行功能測試的結果如下：

　　圖4(a)給出了施密特觸發器的傳輸特性，由圖4得到施密特觸發器低閾值電平VL=1.1 V、高閾值電平VH=3.05 V，與設計值基本符合。

　　圖4(b)給出了D觸發器的測試結果，在fd=100.1 kHz，fck=98.04 kHz條件下，輸出頻率fout=2.06 kHz，fout與(fd-fck)=2.062(kHz)的值近似。表1給出了對應于幾組不同的fd和fck差頻電路的測試結果。結果表明，差頻電路在符合2/3fd

　　對電路進行優化設計時，將傳感器電容轉化后的頻率與參考電容轉化后的頻率值滿足以上條件，可以獲得較高的精度。

　　4 結 論

　　本文介紹了一種基于電容一頻率轉化原理的電容接口電路，仿真和測試結果均表明，通過差頻，電路可以獲得較高的精度。同時較大的傳感器初值電容(1104 pF)有利于抑制寄生電容的影響，為接口電路設計帶來了方便。在80～110 kPa壓力范圍內，接口電路的分辨率約為3.77 Hz/hPa。