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        通用的集成電路RF噪聲抑制能力測量技術

        作者: 時間:2012-01-14 來源:網絡 收藏

        典型蜂窩電話附近的場強近似為60V/m(距離手機天線4cm處),遠離手機后場強降低。在距離手機10cm處,場強降至25V/m。因此在電波暗室內產生一個均勻的60V/m場強,以模擬DUT所處的環境(60V/m的輻射強度可以保證被測器件不至于發生電平鉗位,避免誤差)。所采用的射頻信號是在800MHz至1GHz蜂窩電話頻率范圍內變化的正弦波,使用1kHz的音頻頻率進行調制,調制深度為100%。用217Hz頻率調制時可以得到相似的結果,但1kHz是更常用的音頻頻率,為便于*估,這里選擇了1kHz。通過電波暗室的接入端口為DUT提供電源,并通過接入端口連接電壓表,讀取dBV值(相對于1V的dB)。通過調整DUT在電波暗室內的位置,并使用場強檢測儀可以精確校準RF場。



        圖3.使用圖2裝置得到的兩個雙運放的 RF測試結果

        兩個雙運放(MAX4232和X)的測試結果如圖3所示,值為輸出的平均dBV。RF頻率在800MHz至1GHz范圍內變化時,在均勻的60V/m電場中,MAX4232的平均輸出大約為-66dBV(500(V RMS相對于1V);器件X的平均輸出大約為(18dBV(125mV RMS相對于1V)。沒有RF信號時,電壓表的讀數為-86dBV。

        因此MAX4232輸出的變化量只有-20dB(-86dBV 到(66dBV),即RF干擾導致MAX4232輸出從50(V RMS變化到500(V RMS,在RF干擾環境下,MAX4232的變化因子是10。因此可以推斷出MAX4232具有出色的RF(-66dBV),不會產生明顯的輸出失真。而器件X的平均讀數僅有-18dBV,這意味著在RF影響下輸出變化為125mV RMS(相對于1V)。這個增加值很大,是正常值50(V RMS的2500倍。因此,器件X的RF抑制很差(-18dBV),當靠近手機或其它RF源時可能無法正常工作。顯然,對于音頻處理應用(如耳機放大器和話筒放大器),MAX4232是一個更好的選擇。

        為了保證產品在RF環境下的工作質量,RF噪聲抑制的測量是電路板和IC制造商必須考慮的步驟。RF電波暗室測量裝置提供了一個既經濟、靈活,又精確的RF抑制能力測量方法。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/178051.htm

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