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        一種適用于高頻電流模式轉(zhuǎn)換器的斜坡補償電路的設(shè)計與實現(xiàn)

        作者: 時間:2012-04-26 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

        圖3中源I1和源I2是鏡像關(guān)系,左半部分是鋸齒波產(chǎn)生,包括源I1,電容C1,電阻R1,比較器1,比較器2,邏輯單元和開關(guān)VT1。整個工作原理如下:邏輯單元產(chǎn)生一個充放電的脈沖來控制開關(guān)VT1的開關(guān),從而控制電容的充放電。當(dāng)開關(guān)VT1是關(guān)閉時,電流源I1對電容C1充電。此時A點電壓線性增加,當(dāng)A點電壓超過UREF1時,此時比較器1會輸出一個低電平,使邏輯單元產(chǎn)生一個高脈沖,從而打開開關(guān)VT1,使電容通過電阻R1進(jìn)行放電,因為電阻R1很小,因此放電速度很快,當(dāng)A點電壓下降到小十VREF2時,此時比較器2輸出一個低電平到邏輯單元,使邏輯單元產(chǎn)生一個低脈沖,使開關(guān)VT1關(guān)閉,如此反復(fù),在A點產(chǎn)生一個鋸齒波信號。下面可以通過公式推導(dǎo)出此時A點鋸齒波的頻率,我們假設(shè)對電容C1充電電流為ICharge,由電容C1的電荷公式有:
        ICharge·t1=C1△U=C1(UREF1-UREF2) (4)
        假設(shè)通過R1放電的放電時間為t2,這里因為電阻R1很小,所以忽略放電時間t2。
        i.JPG
        由于電流源I1和電流源I2是鏡像關(guān)系,所以電流源I2對電容C2充放電會產(chǎn)生一個信號。如果假設(shè)電流源I1和電流源I2是1:1的鏡像關(guān)系,則此時頻率:
        j.JPG
        下面我們來分析如何加法功能的,SWON端口為功率管的驅(qū)動信號,ISEN信號表示采樣電流信號,當(dāng)SWON為低時,表示外部功率管關(guān)閉,此時關(guān)閉開關(guān)VT4,打開關(guān)VT3,這時電容C2下端電壓為0,上端電壓n.JPGo.JPG,此電壓為一斜坡信號。當(dāng)SWON為高時,表示外部功率管打開,此時ISEN端有采樣電流信號,并且SWON的高電平會打開關(guān)VT4,關(guān)閉開關(guān)VT3。此時電容C2下端的電壓變?yōu)镮SEN采佯信號,這時根據(jù)電容C2兩端電荷公式:
        ICharge·t=C2△U=C2(U(t)-UISEN) (8)
        求得電容C2上端電壓為p.JPG,即了斜坡中的加法功能。出于上述沒有反饋環(huán)路的加法器極大地減小了反饋電路引起的延遲,因此當(dāng)工作在更高開關(guān)頻率時(通常會大于2MHz)能有更好的穩(wěn)定性和可靠性。
        實際的電路中,由于開關(guān)管VT4會引入尖峰毛刺,進(jìn)而可能會導(dǎo)致PWM比較器誤輸出。所以一般會在ISEN信號通路處加入一個簡單的RC濾波器,這時就會有一個電阻R串接在電容下端和ISEN信號端之間。因此在當(dāng)SWON為高電平時,由于此時VT3關(guān)閉,所以會有一個大小等于IChar ge的電流流過電阻R,從而使ISEN采樣信號與電容下端電壓產(chǎn)生偏差。解決方法是在電容C2下端加入一個電流為ICharge的電流源,引入電流源后(如圖3中I3所示),SWON為高電平時流過R的電流就可以忽略不計,此時斜坡的誤差就可以大大減小。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/177400.htm

        r.JPG


        實際的充電電流產(chǎn)生電路如圖4所示,該電路的主體結(jié)構(gòu)是一個自偏置的電流源,因此其對電源的干擾不敏感,其主要是由跨導(dǎo)放大器,VT 1,芯片外接電阻RT和電流鏡組成。由于跨導(dǎo)放大器,VT1和電阻RT組成了一個負(fù)反饋結(jié)構(gòu),所以此時流過VT1的電流,即充電電流ICharge等于UREF/RT,此充電電流經(jīng)過電流鏡鏡像到充電電容。因此斜坡的斜率可以表示為:
        q.JPG
        根據(jù)斜坡補償原理,要滿足
        s.JPG

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