LinkZero-Ax零待機功耗集成離線式轉換開關
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2. 3 掉電(PD)模式
當跳過160個開關周期時，器件內部振蕩器將進入到掉電模式。當FB引腳利用外部的掉電脈沖信號(≥2．5ms)或因輕載狀態被拉高時，將發生掉電模式，開關完全被禁止，器件在超低功耗下操作。當通過一個開關將BP引腳上電壓拉低到1．5V以下時(見圖3)，器件被喚醒或者復位，BP引腳上電容被再充電。當旁路電容被充電到門限電平VBP(5．85V)時，器件則進入正常操作。本文引用地址：http://www.104case.com/article/176951.htm
2．4 反饋輸入電路恒壓(CV)模式
反饋輸入電路的參考電壓為1．70V，當FB引腳上的電壓達到1．70V時，在反饋電路輸出上則產生一個低邏輯電平(禁止)，并且在每一個周期開始時被采樣。如果反饋電路輸出高電平，MOSFET則導通(使能)，否則關斷(禁止)。由于采樣在每一個周期開始時完成，在剩余周期部分被忽略期間，引腳FB上的電壓將發生變化。
2．5 全方位保護
(1)輸出功率限制
當FB引腳上的電壓滿載并降至1．70V以下時，將自動啟動0．9V的門限電壓，振蕩器頻率降低40％，該功能限制電源輸出電流和功率。
(2)BP引腳欠電壓／過電壓保護
當器件BP引腳上電壓洚至4．85V以下時，功率MOSFET則停止開關。當BP引腳上電壓上升到5．85V時，功率MOSFET將導通使能。
如果器件引腳BP上電壓升至6．45V以上，鎖存器將置位，MOSFET則停止開關。為復位鎖存器，引腳BP上的電壓必須拉低到1．5V以下。
(3)過溫度保護
當芯片溫度超過142°時，功率MOSFET被禁止運行。一旦芯片溫度降至72℃以下，MOSFET重新使能。
(4)電流限制
器件的電流限制電路檢測MOSFET電流，一旦該電流超過內部門限電平，MOSFET將截止。在MOSFET導通后265ns的短時間內，前沿消隱(LE B)電路禁止電流限制比較器操作。前沿消隱時間(265ns)保證電容和整流二極管反向恢復期間引起的電流尖峰不會過早終止MOSFET導通。
(5)引腳FBh的開環保護
當檢測到在器件引腳FB上的開環故障時，內部電流源將引腳FB上的電壓上拉到1．70V以上，器件則停止開關，并在160個周期之后進入掉電模式。
(6)自動重啟動
當出現輸出短路等故障時，LinkZero-AX則進入自動重啟動操作。每當引腳FB上的電壓超過0．9V的自動重啟動門限時，振蕩器復位，內部計數器計時。如果FB引腳上電壓低于0．9V持續時間長于145ms到1.70ms(取決于AC線路電壓)，MOSFET將停止開關。在典型12％的占空比上，自動重啟動使MOSFET開關交替使能和禁止，直到故障解除為止。
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