一種基于第二代電流傳輸器的積分器設(shè)計(jì)
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電源電壓為±1．65 V，當(dāng)在Y端輸入為高電平時(shí)，n型差分對(duì)M1和M2工作，由于MOS管的柵極不汲取電流，則有iY=0。設(shè)在Y端有小信號(hào)輸入，產(chǎn)生的漏極電流通過(guò)電流鏡M6和M5鏡像到M2，即有，iD1=iD5，iD5=iD6，可得iD6=iD2=iD1。設(shè)圖中M1、M2、M5、M6均工作在飽和狀態(tài)，兩個(gè)差分對(duì)的器件參數(shù)完全對(duì)稱，由晶體管飽和區(qū)的漏極電流
1．3 電流積分器結(jié)構(gòu)
由CCII和RC構(gòu)成的電流積分器如圖3所示。本文引用地址：http://www.104case.com/article/176407.htm
假設(shè)電容C初始電壓為零，根據(jù)CCII端口特性得到：
在對(duì)數(shù)坐標(biāo)下，電流增益與輸入信號(hào)頻率成線性關(guān)系。
2 電路仿真
為了驗(yàn)證電路的性質(zhì)，對(duì)上述電路進(jìn)行Hspice模擬仿真。仿真參數(shù)采用0．18μm CMOS工藝參數(shù)。
2．1 CCH電路仿真
圖2中各MOS管的尺寸如表1所示。圖中電源電壓VDD=1．65 V，VSS=-1．65 V。
圖4和圖5分別為CCII的電壓跟隨和電流跟隨特性。由圖可見(jiàn)，電壓跟隨的線性范圍為-1．04～1．15 V，電流跟隨的線性范圍為-9．02～6．66 mA。
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評(píng)論