飛兆推出采用3x3平方毫米MLP封裝的UltraFET系列器件

為 DC/DC 轉換器設計提供業(yè)界領先的開關及熱性能

新型 200V  N溝道器件提供最佳的 FOM值 和熱阻


飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 成功擴展其功率開關器件解決方案，推出采用超緊湊型 (3mm x 3mm) 模塑無腳封裝 (MLP) 的100V、200V和220V N溝道UltraFET器件，最適合用于工作站、電信和網(wǎng)絡設備中的隔離式DC/DC轉換器的初級端開關，能滿足提高系統(tǒng)效率和節(jié)省線路板空間等必須的設計目標。

與市場上類似的200V MLP 3x3封裝器件相比，飛兆半導體的200V器件FDMC2610具有業(yè)界最低的米勒電荷 (3.6nC對比 4nC) 和最低的導通阻抗 (200mΩ對比240mΩ)。這些特性使該器件的品質系數(shù) (FOM) 降低了27%，并且在DC/DC轉換器應用中實現(xiàn)出色的熱性能和開關性能。該款200V器件具有同類封裝器件中最佳 (3C/W 比 25C/W) 的熱阻 (Theta JC)，在嚴苛的環(huán)境中也能保證可靠的散熱。

飛兆半導體通信應用部市場發(fā)展經(jīng)理Mike Speed稱：“飛兆半導體現(xiàn)為設計人員提供具有業(yè)界領先性能的超緊湊型MLP 3x3功率開關產(chǎn)品。我們將PowerTrench® 工藝的優(yōu)點與先進的封裝技術相結合，全面提升UltraFET產(chǎn)品系列的性能。這些產(chǎn)品經(jīng)過專門定制，能滿足現(xiàn)今DC/DC轉換器應用中最嚴苛的設計要求。”

飛兆半導體的UltraFET器件除了能提供比市場上同類型封裝MLP器件更出色的熱性能和開關性能外，僅占用較DC/DC轉換器設計常用的SO-8封裝器件一半的線路板空間。封裝尺寸的縮少可讓工程師減小MOSFET的占位面積及增強封裝熱容量，以便設計出更小型，更高功率密度的DC/DC轉換器。



飛兆半導體還推出了一款同樣采用MLP 3x3封裝的150V P溝道平面型UltraFET器件，與這三種N溝道器件相輔相成。這個器件針對有源箝位拓樸中同時需要N溝道和P溝道MOSFET的應用而開發(fā)。為設計人員提供了完整的解決方案， 
這些無鉛器件能達到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C標準要求，并符合現(xiàn)已生效的歐盟標準。