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        通過JTAG口對DSP外部Flash存儲器的在線編程

        作者: 時間:2004-12-06 來源:網絡 收藏
        摘要:采用一種簡單可行的方法,在TI公司TMS320C6X 集成開發環境CCS2.0下,口實現對可擦寫;將用戶數據文件燒寫到中,并在TMS320C6711 DSP板上多次測試

        關鍵詞:嵌入式系統 DSP CCS2.0

        引言

        在采用TI數字信號處理器(DSP)的嵌放式硬件系統開發完成,軟件也有CCS2.0集成開發環境下仿真測試后,怎樣將編譯、鏈接后生成的可執行文件(.Out),經過轉換后的十六進制文件(.Hex)寫入硬件系統的Flash中,讓系統脫機運行,這是許多DSP開發人員及初學者遇到并需要解決的問題。

        DSPFlash的方法不只一種。本文以TMS320C6711-150 DSK板為例,介紹“仿真狀態下”對Flash的編程。

        1 Flash的擦除

        Flash編程之前,應對Flash進行擦除,使其每個數據位都恢復為1狀態,即全FF狀態。對Flash的擦除操作需要6個總線周期,總線時序如圖1。

        從圖1可知,各總線周期的操作為:

        第一總線周期――向2AAAH地址的存儲單元寫入數據55H;

        第二總線周期――向2AAAH地址的存儲單元寫入數據55H;

        第三總線周期――向5555H地址的存儲單元寫入數據80H;

        第四總線周期――向5555H地址的存儲單元寫入數據AAH;

        第五總線周期――向2AAAH地址的存儲單元寫入數據55H;

        第六總線周期――向5555H地址的存儲單元寫入數據10H。

        完成上述操作后,Flash存儲器被完全擦除,內部數據恢復為初始狀態,全為FFH。

        在TMS320C6711中,用C語言完成上述操作為:

        void erase_flash()

        {

        *(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x00aa;

        *(unsigned volatile char*)FLASH_ADR2=0x0055;

        *(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x0080;

        *(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x00aa;

        *(unsigned volatile char*)FLASH_ADR2=0x0055;

        *(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x0010;

        }

        在TMS320C6711系統中,Flash所在地址段為CE1空間,其開始地址為0x90000000。這樣,其中的FLASH_ADR1、FLASH_ADR2在頭文件中被定義為:

        #define FLASH_ADR1 0x90005555

        #define FLASH_ADR2 0x90002AAA

        需要說明的是,在對Flash進行擦除時,應對DSP及EMIF外存儲器接口進行初始化,CE1空間定義為8位讀寫模式。

        初始化函數如下:

        void c6x11_dsk_init(){ /*DSP和EMIF初始化*/

        CSR=0x100; /*禁止所有中斷*/

        IER=1; /*禁止除NMI外的所有中斷*/

        ICR=0xffff; /*清除所有未完成的中斷*/

        *(unsigned volatile int *)EMIF_GCR=0x3300;

        *(unsigned volatile int *)EMIF_CE0=0x30;

        *(unsigned volatile int*)EMIF_CE1=0xffffff03;

        *(unsigned volatile int*)EMIF_SDCTRL=0x07227000;

        *(unsigned volatile int*)EMIF_SDRP=0x61a;

        *(unsigned volatile int*)EMIF_SDEXT=0x54529;

        }

        2 Flash存儲器的編程

        對Flash存儲器進行字節編程之前,需要對它進行3個周期的編程指令操作,總線時序如圖2。

        從圖2可知,各總線周期的操作如下:

        第一總線周期――向5555H地址的存儲單元寫入數據AAH;

        第二總線周期――向2AAAH地址的存儲單元寫入數據55H;

        第三總線周期――向5555H地址的存儲單元寫入數據A0H;

        第四總線周期――向地址的存儲單元寫入編程數據;

        ……

        在TMS320C6711中,用C語言完成上述操作為:

        /*---------------------------------------------------------------------*/

        /*入口參數:pattern[]:數組,用于存儲編程數據*/

        */ start_address:所要編程的起始地址指針*/

        /* page_size:所要編程的Flash的頁面尺寸*/

        /*出口參數:無*/

        /*---------------------------------------------------------------------*/

        void flash_page_prog(unsigned char pattern[],unsigned volatile char *start_address,int page_size){

        volatile int i;

        unsigned volatile char *flash_ptr=start_address;

        *(unsigned volatile char *)FLASH_ADR1=FLASH_KEY1;

        *(unsigned volatile char *)FLASH_ADR2=FLASH_KEY2;

        *(unsigned volatile char *)FLASH_ADR1=FLASH_KEY3;

        for(i=0;ipage_size;i++)

        *flash_ptr++=pattern[i];

        }

        其中,FLASH_KEY1、FLASH_KEY2、FLASH_KEY3的定義如下:

        #define FLASH_KEY1 0xAA

        #define FLASH_KEY2 0x55

        #define FLASH_KEY3 0xA0

        3 校驗和的計算與編程原理

        (1)校驗和的計算

        在程序中,應對Flash編程的正確性進行自動檢查,把編程前數據的校驗和編程后Flash中讀出數據的校驗和進行比較:如果相同,則編程成功;如果不相同,則編程失敗。需要注意的是,在對Flash進行編程的過程中,不能用CCS2.0中的“VIEW/MEMORY…”功能看Flash中的編程數據,這樣會導致一會地址編程的失敗。

        其C語言程序如下:

        /*----------------------------------------------------------------------*/

        /*入口參數:start_address:所要校驗的起始地址*/

        /* size_in_byte:所要校驗的Flash數據字節數*/

        /*出口參數:lchecksum:校驗和 */

        /*----------------------------------------------------------------------*/

        int flash_checksum(int start_address,int size_in_byte){

        int i;

        int lchecksum;

        unsigned volatile char*flash_ptr=(unsigned volatile char*)

        start_address;

        int temp;

        i=0;

        lchecksum=0;

        while(isize_in_byte-4){

        temp=*flash_ptr++;

        temp=0xff;

        lchecksum=lchecksum+temp;

        i++;

        }

        return lchecksum;

        }

        (2)編程原理

        基本原理是:在仿真狀態下,在PC機上運行DSP編程軟件,由運行的DSP通過JTAG口從PC機上讀入待編程的十六進制數據文件,由DSP將其寫入到其外部Flash中,即完成用戶數據文件的燒寫工作。

        4 編程數據的讀入及編程

        編程時,由DSP程序從終端仿真計算機上打開要編程的十六進制文件,從十六進制文件中依次讀入編程數據,并由DSP將其寫入到其外部Flash中,程序段如下:

        while(data_flag=0){

        display_count++;

        if(display_count==DISPLAY_SIZE){

        display_count=0;

        /*printf(".");*/

        }

        for(i=0;iFLASH_WRITE_SIZE;i++){

        j=fscanf(hex_fp,“%x”,data);/*從文件中讀入編程數據,每次取一個字節*/

        if(j==EOF||j==0){

        data_flag=1;

        break;

        }

        host_buffer[i]=data;

        checksum+=data;

        flash_addr+=1;

        if(falsh_addr>0x90020001){

        printf("ERROR:beyond valid flash address!");

        }

        }

        //寫入Flash

        ptr=(unsigned volatile char *)(flash_addr-0x80);

        if(data_flasg==0){

        length=FLASH_WRITE_SIXZE;

        flash_page_prog(host_buffer,ptr,length);

        printf("Programming address:%x",flash_addr-0x80);

        }

        }

        注意:所采用的十六進制文件應使用“Hex6x.exe”命令,并在hex.cmd命令文件中使用“-a”參數生成的文件;指定的存儲器長度必須能被128整數(len參數能被128整除)。因為AT29LV010A以扇區為操作單位,每個扇區為128字節,共1024個扇區,其格式如下:

        -map hex.map

        -a

        -image

        -zero

        -memwidth 8

        ROMS

        {

        FLASH:org=0x90000000,len=0x20000,romwidth=8,files={test.hex}

        }

        5 仿真運行

        將上述程序組成一個完整的程序,經過編譯、鏈接(Project/Build命令)后,使用“File/Load Program...”將編程代碼Load到DSP中,運行程序,經過幾分種后即編程完畢。

        結語

        對DSP外部Flash編程雖不是一項關鍵技術,但它在整個DSP嵌入式系統開發中卻有著至關重要的作用。如果開發者在設計之初就掌握了這項技術,就會大大方便系統的調試,縮短開發時間。

        由于篇幅所限,本文僅給出部分核心程序代碼,讀者可利用上述代碼編寫一個完整的程序。

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