變頻器的電磁兼容與電磁干擾抑制
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?。?）優(yōu)化驅(qū)動電路
由于pwm電機驅(qū)動系統(tǒng)產(chǎn)生傳導emi的主要原因是功率半導體器件高頻開關(guān)動作所引起的dv/dt和di/dt過大，并且它們的大小還直接影響著系統(tǒng)emi的發(fā)射強度，而且對于常用的開關(guān)器件，其開關(guān)瞬間dv/dt和di/dt的大小受門極驅(qū)動脈沖波形和門極雜散電容的影響[24]，因此，如果單純從減小系統(tǒng)emi發(fā)射強度的角度考慮，通過選擇適當?shù)碾娐吠負浣Y(jié)構(gòu)和控制策略是可以減小dv/dt和di/dt，實現(xiàn)降低系統(tǒng)emi發(fā)射強度。日本學者s.takizawa和意大利學者a.consoli基于此觀點，通過附加驅(qū)動電流源的方法，實現(xiàn)了對門極驅(qū)動電流波形的可控，達到了優(yōu)化emc的目的[25,26]。而vinod john等學者根據(jù)igbt的結(jié)構(gòu)特點、開關(guān)特性及其所具有的彌勒效應(yīng)提出了一種三級驅(qū)動的思想[27]，并設(shè)計出了相應(yīng)的電路。它既能應(yīng)用于分立器件CONTROL ENGINEERING China版權(quán)所有，也能應(yīng)用于igbt模塊，而且還適用于軟開關(guān)和硬開關(guān)技術(shù)；另外一種減小dv/dt和di/dt的方法就是增加緩沖吸收
電路。該方法在一定程度上減小了dv/dt和di/dt，對系統(tǒng)emi具有改善作用，但事實上它只是消除了器件開關(guān)時的振蕩現(xiàn)象(毛刺現(xiàn)象)，效果不是很明顯。
p.caldeira等學者依據(jù)軟開關(guān)變換器可以減小功率開關(guān)管通斷時dv/dt和di/dt的觀點，提出了采用零電壓轉(zhuǎn)換(zvt)的軟開關(guān)變換器應(yīng)該比硬開關(guān)變換器emi性能好的推測[28]。
3.2 基于切斷傳導傳播途徑的emi抑制方法
盡管單純從emc角度出發(fā)，降低干擾源對外發(fā)射電磁干擾強度是能夠減小系統(tǒng)emi，但會受到開關(guān)損耗增大、抑制幅度有限、控制策略繁雜及電壓利用率降低等不利因素的限制。為此各國學者相繼提出了一些用于阻斷emi傳播途徑的emi濾波器結(jié)構(gòu)，并且實驗表明經(jīng)過正確設(shè)計的濾波器，能夠使系統(tǒng)emi發(fā)射強度減小到emc標準限值以下，這是電氣設(shè)備和系統(tǒng)實現(xiàn)電磁兼容的重要手段。同諧波濾波器一樣，emi濾波器也可以被劃分為無源emi濾波器和有源emi濾波器兩種。
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