基于溫度補償的無運放低壓帶隙基準源設計
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面積為148μm×120μm。基于0．5μm CMOS工藝，通過spectre對圖3所示的電路進行仿真優化。在電源電壓為3．3 V的條件下，溫度從-20～120℃變化時，得到圖5所示輸出電壓Vref隨溫度變化仿真曲線圖，溫度系數為35．6 ppm／℃。圖6是得到的輸出電流Iref隨溫度變化仿真曲線圖，溫度系數為37．8 ppm／℃。這說明了電路可以同時提供溫度補償的低溫漂基準電壓和基準電流。基準電壓的PSRR特性如圖7所示，在直流情況下，PSRR為-68dB。本文引用地址：http://www.104case.com/article/160474.htm
5 結語
基于低電壓帶隙基準源的基本原理，提出一個可以同時提供溫度補償的低壓基準電壓和基準電流的電路設計。設計中用具有正溫度系數的薄膜電阻對基準電流進行溫度補償，通過改進帶隙基準電路中的帶隙負載結構對基準電壓進行補償，同時得到了低溫漂的基準電流和基準電壓。仿真結果表明，在-20～120℃的溫度范圍內，基準電壓和基準電流的溫度系數均小于40 ppm／℃，具有較好溫度特性，直流時的電源抑制比為-68 dB。此電路設計結構簡單，可以廣泛應用于各種集成電路中。
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