基于溫度補償的無運放低壓帶隙基準源設計
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2 改進的低電壓帶隙基準負載結構
由式(5)可得，要得到在一定溫度范圍內與溫度零相關的基準電流I(T0)，電阻溫度系數TCR必須滿足：
通過調整電阻的阻值可達到上式要求，但在這種情況下，式(2)中的基準電壓V(T0)就一定不與溫度零相關，為了產生在一定溫度范圍內與溫度無關的基準電壓Iref，現引入了一種新的負載結構，圖1中的負載電阻R4可改成如圖2中R2的結構，基準電壓Vref可以表示為：
由上可知，滿足式(7)時，可以得到在一定溫度范圍內與溫度零相關的基準電流I(T0)，要得到在一定溫度范圍內與溫度無關的基準電壓Vref，必須滿足：
由于電壓Vbe的溫度系數室溫下為-1．5 mV／K，所以要選擇具有正溫度系數的電阻以滿足式(9)的要求。在CMOS工藝中的擴散電阻和阱電阻阻值是隨著溫度的升高而增大的，符合電路設計要求。本文引用地址：http://www.104case.com/article/160474.htm
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