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        東芝推出650V系統超結MOSFET “DTMOS Ⅳ”系列

        作者: 時間:2013-08-22 來源:電子產品世界 收藏

          實現頂級[1]低導通電阻性能

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/159224.htm

          東京—公司(TOKYO:6502)日前宣布推出第四代超級結MOSFET “ IV”系列650V器件。作為該系列的首款產品,“TK14A65W”已經推出,并計劃于2013年8月全面投入量產。

          該系列采用最新的單外延工藝打造,其每單位面積導通電阻(Ron•A)較現有的650V “ II”系列產品約降低了50%[2],這就使之能夠采用緊湊封裝,有助于提高功效,縮小產品的集成尺寸。

          主要規格

        產品型號 封裝 絕對最大額定值 RDS(ON)
        最大值(Ω)
        Qg
        標準值
        (nC)
        Ciss
        標準值
        (pF)
        VDSS(V) ID(A) VGS=10V
        TK14A65W TO-220SIS 650 13.7 0.25 35 1300

          注:

          [1] 截至2013年7月。公司的研究。
          [2] 與“TK17A65U”對比。



        關鍵詞: 東芝 DTMOS

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