安森美半導體拓展功率MOSFET產品系列

安森美半導體拓展功率MOSFET產品系列，推出18款新計算器件

 功率MOSFET優化直流-直流轉換并降低CPU/GPU 供電、直流－直流轉換器及高低端轉換中的臨界電流水平功耗

安森美半導體推出18款優化直流－直流轉換并降低臨界電流水平功耗的新型功率MOSFET器件。這些功率MOSFET適用于計算應用中的CPU/GPU供電，直流－直流轉換及高低端開關，如臺式機、筆記本電腦和服務器中。

這些新型的30伏(V)，35到191安培(A)的器件是單個N-溝道MOSFET提供較低RDS(on)以盡量降低功耗。器件的門極電荷和門極電荷比也小，降低導電和開關損耗，使電源效率更高。

安森美半導體PowerFET部副總裁David Garafano說:“為了幫助我們的客戶滿足特定應用的需要，安森美半導體一直在拓展PowerFET產品系列，以提供業內品種最多的MOSFET。因為安森美半導體有多種生產這些新型MOSFET器件的制造資源，所以我們可以有效地處理突發的需求變化并進一步確保準時供貨。”

器件
其中8款新型功率MOSFET器件采用DPAK封裝，而每10,000片的批量預算單價在0.40至0.87美元之間。

      器件                                  VDS      ID           Rdson @ 10 V     Qg (典型)
•    NTD4804N        30 V     117 A        4 mΩ        30 nC 
•    NTD4805N        30 V     88 A        5 mΩ        20.5 nC
•    NTD4806N        30 V     76 A        6 mΩ        15 nC
•    NTD4808N        30 V     63 A        8 mΩ        11.3 nC
•    NTD4809N        30 V     58 A        9 mΩ        10.7 nC
•    NTD4810N        30 V     54 A        10 mΩ        9 nC
•    NTD4813N        30 V     40 A        13 mΩ        6.9 nC
•    NTD4815N        30 V     35 A        15 mΩ        6 nC

其他10 款新型功率MOSFET 器件采用SO-8平引腳封裝– 帶外露引腳框于背面使散熱更佳。這些器件的每10,000片的批量預算單價在0.71至0.91美元之間。
  
       器件                     VDS      ID               Rdson @ 10 V     Qg (典型)
•    NTMFS4833N      30 V    191 A        2 mΩ        39 nC
•    NTMFS4834N      30 V    130 A        3 mΩ        33 nC
•    NTMFS4835N      30 V    104 A        3.5 mΩ        25 nC
•    NTMFS4836N      30 V    90 A        4 mΩ        19.1 nC
•    NTMFS4837N      30 V    74 A        5 mΩ        14.2 nC
•    NTMFS4839N      30 V    66 A        6 mΩ        12 nC
•    NTMFS4841N      30 V    57 A        7 mΩ        11.9 nC
•    NTMFS4741N      30 V    67 A        8 mΩ        15 nC    
•    NTMFS4744N      30 V    53 A        10 mΩ        10 nC
•    NTMFS4747N      30 V    44 A        13 mΩ        12 nC

更多關于安森美提供的所有功率MOSFET器件的信息，請訪問http://www.onsemi.com.cn 或聯系Kathleen Van Tyne (電郵地址: k.vantyne@onsemi.com)。