德州儀器著眼于將嵌入式 FRAM 作為新一代非易失存儲器技術

VLSI 研究公司總裁 G. Dan Hutcheson 說：“在開發作為新一代嵌入式非易失性內存的 FRAM 方面，TI 已向前邁出了重要的一步。通過采用標準 CMOS 工藝，該內存使 TI 可將非常緊密的內存單元與邏輯器件相集成。由于只需通過非常簡單地添加制造工藝便可生產 FRAM，而且還具有其它非易失性內存技術難以抗衡的低成本、低功耗及高性能等優異特性，因此，在便攜式應用中使用嵌入式 FRAM也 極具吸引力。”

用于嵌入式應用的 FRAM

FRAM 所具有的快速訪問時間、低功耗、小單元尺寸及低制造成本等特性使之可用于程序和數據的應用，從而使它非常適合于無線產品。其它潛在市場應用還包括寬帶接入、消費類電子產品及 TI 種類繁多的可編程 DSP。

TI 負責芯片技術開發的高級副總裁兼總監 Hans Stork 說：“我們相信在2005年內，FRAM 有能力成為各種應用領域對非易失性內存需求的理想選擇。這有力地證明了，半導體材料研究及創新的產品設計可實現革命性的進步，TI 堅信 FRAM 能夠改變嵌入式內存的產品動態。”

TI 最初的 FRAM 測試芯片是采用僅需兩個額外掩膜步驟的標準 0.13微米銅線互連工藝制造而成。1.5V 的芯片展示了迄今為止最小的 FRAM 單元，經測量僅 0.54um