嵌入式系統(tǒng)中存儲器性能研究

3 測試用讀寫方式
為了檢測內存潛在的問題，除了設計一些測試用的數(shù)據(jù)，還設計了一些讀寫方式，和數(shù)據(jù)相結合來檢測。
3．1 MSCAN
MSAN讀寫方式是按地址遞增順序，首先寫入0，然后仍然按照此順序讀出校驗。MSCAN用來檢測內存單元。
3．2 MARCH
MARCH讀寫方式的檢測對象是地址譯碼器。如果地址譯碼器有問題，就會產生多重選擇的問題，即同一個地址對應多個內存單元，或者多個地址對應同一個內存單元。可以采用如下的讀寫方式來檢測這種問題。如圖8，首先順序寫入“0”，然后順序校驗，校驗一個數(shù)據(jù)后立即將數(shù)據(jù)改為“1”，然后逆序校驗，校驗后立即將數(shù)據(jù)改為“0”。

3．3 MASEST
MASEST讀寫方式的檢測對象也是地址譯碼器。不過側重于地址譯碼器的翻轉噪聲。按照圖8中的順序寫入行帶狀數(shù)據(jù)，此順序的目的是讓地址譯碼器譯碼每次輸出都盡可能多的翻轉。然后在按此順序校驗，校驗同時把數(shù)據(jù)翻轉。最后順序讀取數(shù)據(jù)校驗。
3．4 CMD
CMD讀寫方式檢測內存單元間的相互干涉。如圖9，首先寫入棋盤數(shù)據(jù)。然后按照如圖9順序校驗。

3．5 ROW／COL組合
ROW／COL組合測試的對象是內存控制電路。內存單元陣列分為行和列，某一個行地址有效時，對某一個單元進行讀／寫組合的操作，由于內存單元需要定時刷新，這種操作可能對刷新造成影響。ROW／COL組合讀取方式固定某一行，對一個單元進行讀／寫組合操作，驗證刷新的影響。然后對同一行的下一列進行相同的操作。