SiGe半導體推出無線射頻前端系統解決方案

    SiGe 半導體公司 (SiGe Semiconductor, Inc.) 宣布推出全新的無線射頻 (RF) 前端模塊 SE2559L。新模塊乃專為符合 802.11b/g  標準的 Wi-Fi® 系統而設，旨為提高這類系統的集成度并降低成本。這款 RF 前端模塊基于高度集成的架構，與其它競爭產品相比，尺寸縮小了約 60%。通過把功能高度集成化，SE2559L 省去了若干外部組件，讓制造商得以把 802.11b/g 功能性材料清單 (BOM) 的成本降低約 15% 左右。這種小尺寸和低成本的優勢使 SE2559L 非常適合于接入點、筆記本電腦、PC機卡以及嵌入式 Wi-Fi 應用。

    SE2559L 是 SiGe 半導體  RangeCharger™ 產品線的最新型號，是基于公司已經驗證的獲獎架構而建立的。該器件在緊湊型的 4 x 5 mm QFN 封裝中集成了收發器輸出和天線之間所需的所有功能性，尺寸比同類模塊小約 60%；比分立式解決方案小約 85%。由于 SE2559L 無需外部匹配和參考電壓，因此能有效降低系統成本，并簡化設計、測試和制造過程。
 

    SiGe 半導體無線數據產品總監 Andrew Parolin 稱：“我們希望藉 SE2559L來提供一種小尺寸的薄型高性能解決方案。這種解決方案結合的各個優點使制造商能夠設計出功能集成度更高的 Wi-Fi 系統，而且仍然保持在消費者對尺寸、性能及價格等方面需求的競爭力。”

RF 前端提供業界領先的集成度和性能

    SE2559L 是一款完整的 802.11 b/g WLAN RF 前端模塊，集成了功率放大器、負斜率功率檢測器、T/R 開關、分集開關及其相關匹配電路。所有部件都匹配了 50 歐姆阻抗，有效簡化了 PCB 布線和連接收發器 IC 的接口。其集成的功率檢測器動態范圍為 20 dB，并具有用于發射器功率斜坡開/關控制的數字化控制功能。

    SE2559L 在 802.11g 模式下工作時，功率輸出為 +18 dBm；誤差向量幅度(EVM) 為 3%。在 802.11b 模式中，當輸出功率為 +21dBm 時，便可滿足所有的鄰信道功率比 (ACPR) 要求。在 802.11g 模式中，采用 3.3V 的單電源供電時，SE2559L 的電流消耗量僅為 142 mA，比現有解決方案小約 25%。制造商能夠利用這種高功率輸出、低耗電的優勢來實現性能目標，并獲得便攜式 Wi-Fi 應用所需的電池壽命。

供貨及價格

    SE2559L現已開始生產，批量訂購10萬片的價格為每片 0.90美元。此外，SiGe半導體還提供帶有正斜率功率檢測器的同類產品SE2558L。

關于 SiGe 半導體公司 (SiGe Semiconductor, Inc)

    SiGe 半導體公司 (SiGe Semiconductor, Inc) 是全球領先的無線射頻 (RF) 前端解決方案供應商，致力滿足新一代無線系統的需要。該公司利用硅鍺 (silicon germanium) 技術的獨特優勢，設計并提供具有優越性能和功效的集成電路和芯片級模塊。SiGe 半導體公司的組件現已廣泛應用于配備藍牙 (Bluetooth) 功能的便攜式設備、全球定位系統 (GPS) 和遠程信息處理系統、IEEE 802.11a/b/g /n 無線局域網 (WLAN)、WiMAX 寬帶接入設備、以及GSM/EDGE 和 GPRS 蜂窩電話等產品。要了解更多信息，請訪問公司網站 www.sige.com。
 

關于SiGe 半導體公司的無鉛計劃

    在電子產品設計和制造過程中使用鉛材料已成為全球日益關注的環保問題。為了響應業界廣泛推動的環保倡議， SiGe 半導體公司現今所有付運的產品均為無鉛產品，并符合 RoHS 標準。