聯華與SuVolta 宣布聯合開發28納米低功耗工藝技術

 　　臺灣新竹, 加州洛斯加托斯— 聯華電子公司(NYSE: UMC; TWSE: 2303) ("UMC") 與SuVolta公司,今日宣布聯合開發28納米工藝。該項工藝將SuVolta的Deeply Depleted Channel? (DDC)晶體管技術集成到聯華電子的28納米High-K/Metal Gate(HKMG)高效能移動(HPM)工藝。SuVolta與聯華電子正密切合作利用DDC晶體管技術的優勢來降低泄漏功耗，并提高SRAM的低電壓效能。

　　這兩家公司還宣布該工藝技術將提供高度靈活的采用方式：

　　“DDC PowerShrink?低功耗平臺”選項：所有晶體管都使用DDC技術以實現最佳功耗與效能優勢;

　　“DDC DesignBoost晶體管調換”選項：用DDC晶體管取代現有設計中部分晶體管。該選項的典型應用是用DDC晶體管取代泄漏功耗大的晶體管來降低泄漏，或者取代SRAM位單元晶體管從而提高效能并降低最低工作電壓(Vmin)

　　聯華電子先進技術開發部副總裁游萃蓉表示：“在接下來的幾周或者幾個月，我們期待看到聯華電子與SuVolta聯合開發的技術有良好的結果，從而進一步驗證DDC技術為我們的28納米 HKMG工藝帶來的功耗與效能優勢。通過將SuVolta的先進技術引進到我們的HKMG工藝上，聯華電子將提供28納米移動計算工藝平臺，以完善我們現有的Poly-SiON及HKMG技術。”

　　SuVolta總裁兼首席執行官Bruce McWilliams博士表示：“聯華電子與SuVolta團隊繼續將DDC技術集成到聯華電子的28納米工藝，取得優秀的進展。通過合作，我們開發的工藝使得聯華電子客戶的設計易于移植。此外，SuVolta為業界提供選擇，以替代昂貴而復雜的工藝技術，從而推動未來移動器件的發展。”