英飛凌推出新一代DrMOS器件DrBlade

　　英飛凌科技股份公司 (FSE代碼：IFX/ OTCQX代碼：IFNNY)近日在2013應用電力電子會議暨展覽會(APEC)中宣布推出DrBlade：全球第一款采用創(chuàng)新芯片嵌入式封裝技術的集成式器件，它集成了DC/DC 驅動器及MOSFET VR功率級。DrBlade包含最新一代低壓DC/DC驅動器技術及OptiMOS™ MOSFET器件。該MOSFET 技術擁有最低的單位面積導通阻抗及針對應用優(yōu)化的品質因數，能達到最高的DC/DC調壓系統(tǒng)效率，適用于計算及電信應用，包括刀片服務器和機架服務器、PC主板、筆記本電腦和游戲機等。　　

 

　　全新Blade封裝技術

　　英飛凌創(chuàng)新的Blade封裝技術，采用芯片嵌入概念，使用電鍍制程取代標準的封裝制程，例如邦線、夾焊以及常見的模制技術。此外，芯片也以疊層薄片進行保護。其結果是大幅縮小封裝體積、降低封裝電阻及電感，同時還降低熱阻。

　　英飛凌低壓功率轉換產品資深總監(jiān)Richard Kuncic表示：“英飛凌是業(yè)界第一家推出采用Blade技術的集成了驅動器及MOSFET半橋的半導體公司。DrBlade的推出可提升服務器應用在全負載范圍的效率，再度證明我們在功率半導體領域的領導地位。”

　　節(jié)省空間，提高效率

　　DrBlade封裝面積為5x5mm，高度僅為0.5mm，可滿足計算系統(tǒng)對于更高功率密度及節(jié)省空間的需求。DrBlade擁有優(yōu)化的引腳規(guī)劃，可簡化PCB布局。采用全新的芯片嵌入式封裝技術，再結合英飛凌的OptiMOS MOSFET，這使DrBlade成為低壓市場的最佳穩(wěn)壓解決方案。

　　上市時間與定價

　　DrBlade樣品已開始提供，并于2013年第二季度量產。