恩智浦推出針對熱插拔應用的新一代功率MOSFET

　　憑借在功率MOSFET領域的領先地位，恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達克代碼：NXPI)近日推出了其NextPower Live產品組合，設計出專門用于“熱插拔”環(huán)境的全新線性模式的功率MOSFET系列。NextPower Live系列同時提供出色的線性模式性能和極低的RDS(on)值，該獨特組合展示了恩智浦在該領域的技術能力。　　

 

　　運行于全天候網絡世界的大部分基礎設施(從云計算和移動電話到ATM和交通管理)由永久性處于工作(開啟)狀態(tài)的機架式系統(tǒng)組成。正因如此，驅動這些系統(tǒng)的電路板和元件必須能夠實現“熱插拔”工作，以實現在無需關閉設備電源的條件下即可進行產品升級和維護。恩智浦NextPower Live MOSFET旨在為這樣的系統(tǒng)提供了最佳的性能。

　　在應用過程中，為應對更換板卡插入工作系統(tǒng)時的沖擊電流，需要MOSFET具有強大的線性工作區(qū)域和很寬的安全運行區(qū)域(SOA)來防止電涌;但是，在過去需要使用RDS(on)較高且效率極低的老一代MOSFET，現在恩智浦NextPower Live系列已克服了該難題，只要系統(tǒng)安全安裝并運行，即可提供很強的線性模式性能以及實現高效率(Rdson 很低)。

　　恩智浦半導體MOSFET業(yè)務經理Chris Boyce表示：“我們生活在計算和通信基礎設施不間斷的一個永無停歇的世界之中，享受始終連接、始終在線且沒有中斷的社會，這就需要特殊類型的元件能夠處理關鍵任務的應用需求 。過去，基礎設施所有者被迫使用可應對被安裝到某個活動環(huán)境的老一代MOSFET，但系統(tǒng)卻引入的高電阻值的MOSFET，它造成了過多的功率損耗且提高了機架的整體溫度。我們的NextPower Live MOSFET將改變了這一切，讓其在無中斷可靠加電后以極低的RDS(on)值工作，并實現高效率，目前其他解決方案都無法提供可與之相比擬的性能參數。”

　　NextPower Live產品組合兼具30V設備(針對工作電壓為12V DC的刀片服務器等應用)和100V設備(針對工作電壓為標稱48V DC的電信應用)。具有這兩種電壓范圍的MOSFET采用D2PAK封裝和LFPAK56(兼容Power-SO8)封裝，現已上市。

　　恩智浦半導體還在針對以太網供電(PoE)等其他相關線性模式應用開發(fā)NextPower Live MOSFET。