Microsemi提供S波段 RF功率晶體管

 　　致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 擴大其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaN on SiC)技術的射頻(RF)晶體管系列，推出新型S波段 500W RF器件2729GN-500，新器件瞄準大功率空中交通管制機場監視雷達(ASR)應用，ASR用于監視和控制在機場大約100英里范圍的飛機。

　　在2.7 至2.9 GHz頻段上，2729GN-500晶體管具有無與倫比的500W峰值功率、12 dB功率增益和53%漏極效率性能，通過單一器件在這個頻段上提供最大功率，主要特性包括：

　　標準脈沖間歇格式： 100µs, 10 % DF

　　出色的輸出功率： 500W

　　高功率增益： >11.5 dB min

　　漏極偏壓−Vdd： +65V

　　低熱阻： 0.2℃/W

　　使用GaN on SiC高電子遷移率晶體管(HEMT)實現的系統優勢包括：

　　具有簡化阻抗匹配的單端設計，替代需要額外合成的較低功率器件

　　最高峰值功率和功率增益，可減少系統功率級數與末級合成

　　單級對管提供具有余量的1.0 kW峰值輸出功率，通過四路組合提供全系統2kW峰值輸出功率

　　65V的高工作電壓減小電源尺寸和DC電流需求

　　極其穩健的性能提升了系統良率，而且

　　放大器尺寸比使用硅雙極結晶體管(Si BJT)或橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)器件的產品減小50%