Vishay的17款新器件擴充600V N溝道功率MOSFET系列

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件，將該系列MOSFET在10V下的導通電阻擴展到39m?～600m?，將最高電流等級擴展至7A～73A。新的E系列MOSFET采用Vishay的下一代超級結技術，使公司進入使用功率轉換技術的增量市場，包括照明、適配器和高功率可再生能源系統。

　　當前發布的器件使600V E系列MOSFET的器件數量增加到27個。所有的E系列器件都具有超低的導通電阻和柵極電荷，可實現極低的傳導損耗和開關損耗，從而在功率因數校正、服務器和通信電源系統、焊接、不間斷電源(UPS)、電池充電器、LED照明、半導體生產設備、適配器和太陽能電池逆變器等高功率、高性能的開關應用中節約能源。

　　器件可承受雪崩和通信模式中的高能脈沖，保證通過100% UIS測試時達到極限條件。MOSFET符合RoHS指令。　　

 

　　這些新款功率MOSFET現可提供樣品，量產訂貨的供貨周期為十六周到十八周。