英飛凌推出第一代65nm嵌入式快閃安全芯片

　　英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布推出第一代65 奈米(nm)嵌入式快閃 (eFlash)安全芯片樣本，主要用于芯片卡與安全防護應用。這是英飛凌和臺積電自 2009 年合作開發及生產 65nm eFlash 安全芯片的成果。

　　首批進入量產的產品將是 SIM 卡應用的安全芯片，預計將于 2012 下半年進行制程及產品驗證。在競爭激烈的安全 IC 市場上，采用 65nm 技術生產具有相當大的競爭優勢，因為相較于舊有技術，65 nm 技術能夠大幅縮小芯片體積，進而提高效率。此外，12晶圓亦較8晶圓更具生產力。

　　適用于芯片卡及安全防護應用的 65nm eFlash 技術將會是英飛凌的技術基石，讓公司得以發揮創新能力，專注開發生產客制化的安全性產品，以最佳成本效益比，針對智能卡尺寸及其他應用裝置提供適當的安全等級。除與臺積電合作開發12?晶圓外，英飛凌更將合作范圍延伸至 90nm eFlash 節點。

　　英飛凌科技并于 2011 年智能卡暨身份識別技術產業展 (CARTES & IDentification 2011) 中展示該芯片卡及安全性解決方案。

　　英飛凌芯片卡及安全業務事業處營運部副總裁 Pantelis Haidas 表示，這是英飛凌與臺積電合作開發采用 65nm eFlash 技術的首項成果。該公司依據信息技術安全評估共同準則(Common Criteria for Information Technology Security Evaluation)所規格的生產環境中，成功采用了這項先進的12晶圓技術，并為往后可提供各式芯片卡和安全防護應用的產品建立基礎。