大容量存儲器集成電路的測試

摘要：介紹了有關大容量存儲器集成電路測試系統的軟件原理和硬件構成，對大容量存儲器集成電路的測試方法作了初步探討，希望對實現實驗室精確測試和生產中大批量芯片中測和成品測試有所幫助。

關鍵詞：測試系統： 存儲器集成電路： 塊； 頁

中圖分類號：TN407 文獻標識碼：A 文章編號：1004-4507(2005)05-0049-04

目前國內電腦內存條及配套產品、語言復讀機、DVD機以及數碼相機、數碼錄音、MP3等方面，對存儲器電路需求量超過8000萬只，隨著各類電子產品的數碼化和大容量化，對存儲器電路的需求還將大幅增長，對存儲器集成電路測試系統的需求也就越來越迫切。 大容量存儲器集成電路的測試系統是科技型中小企業技術創新基金項目，是根據大容量存儲器集成電路SDRAM、DDR SDRAM和：flash RAM的發展趨勢而研究開發的測試系統。方案的主要內容為測試方法和測試程序研究開發，其次是測試板、適配器及生產性測試設備的研制和設備結構制作和調試等。特點是基于大容量存儲器集成電路的結構，采用全新的測試技術理論和較通用的測試設備，實現實驗室精確測試和生產中大批量芯片中測及成品測試。目前對高兆位存儲器電路能大批量測試的設備非常昂貴，低價的專用存儲器電路測試儀又不能滿足測試的可靠性和通用性要求，因此該項目將大大提高國內存儲器電路的生產能力，降低產品成本，提高存儲器電路的可利用率，有顯著的經濟效益和社會效益。

1 測試系統的基本原理

根據大容量存儲器電路的技術特點，不論EEPROM、DRAM、SDRAM、FLASRAM等，都有快速塊(BANK)、頁(PAGE)、單個單元和連續多個單元這4種不同的讀和寫方式。本系統充分利用不同的讀和寫方式進行測試，首先以頁面方式測試存儲單元讀和寫的正確性，再以塊方式測試連續寫入固定數據的準確性，然后連續多個單元方式寫入變化數據的穩定性，最后測試在單個單元寫連續循環變化下數據的可靠性，按這樣順序運行4種不同的測試模塊，能非常準確地對存儲器電路的各種狀態進行分析測試，對大容量存儲器電路SDRAM和flash RAM的測試項目以及存儲單元的可測試度為100％，系統定時精度