安森美半導體推出低靜態電流4通道及6通道開關

　　應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)推出兩款采用單刀雙擲(SPDT)開關配置的新多通道差分開關集成電路(IC)，應用于PCI Express 3.0及DisplayPort 1.2輸入/輸出(I/O)信號等高頻信號，目標應用包括筆記本、臺式計算機、服務器及網絡存儲設備。

　　6通道差分SPDT開關NCN3612B由于它的高帶寬，支持8 Gbps的數據傳輸速率。它的導通電容(CON)為2.1 pF(典型值)，導通電阻(RDSON)為8 ?(典型值)。與這器件相輔相成的是同樣能支持8 Gbps工作的4通道差分開關NCN3411。NCN3411的導通電容為2 pF(典型值)，導通電阻(RDSON)為7.5 ?(典型值)。這些特性使這兩款新器件非常適合用于PCI Express 3.0及DispalyPort 1.2 I/O信號路由。

　　安森美半導體接口及電源產品總監高天寶(Thibault Kassir)說：“NCN3612B和NCN3411固有低導通電容及低導通電阻，令其能提供更低的數據邊緣速率及更低的插入損耗。因此，這些器件能配合當今系統設計指定的最新高速接口標準提供所需的信號完整性水平。”

　　NCN3612B的電源電壓范圍為3伏(V)至3.6 V，消耗的供電電流僅為250微安(µA)(典型值);而NCN3411的電源電壓范圍為1.5 V至2.0 V，消耗的供電電流為200 µA。這些新器件的環境工作溫度范圍為−40 °C至+85 °C