瑞晶預計提前轉進30納米制程

　　DRAM報價直逼歷史低價，在DRAM產業籠罩一片低氣壓時，瑞晶的制程轉進速度仍是一馬當先，原本預定2011年底前旗下所有產能都全數轉進30納米制程，日前目標已提前達陣，但因母公司爾必達(Elpida)應部分客戶需要40納米制程產品，因此保留2萬片產能在40納米，在制程轉進成功后，預計成本可進一步下滑，雖然相較于目前DRAM報價仍是虧錢，但仍是臺廠中競爭力最強的業者。

　　瑞晶一向是臺系DRAM廠中制程轉換速度最快的業者，旗下8萬片12寸晶圓廠領先在2011年轉進40納米制程，日前又在30納米制程上搶得頭籌，且比原訂進度提前1個月達陣，在全球競爭力上更上一層樓。

　　瑞晶原本預定在2011年底前，將旗下所有產能都轉進30納米制程，但現在已提前在11月達成此目標，目前12寸晶圓廠已全數用30納米制程技術投片，但因為爾必達客戶臨時希望能有部分40納米制程產品可以出貨，因此瑞晶臨時保留約2萬片產能用于40納米制程。

　　業者分析，2011年第4季以來DRAM報價受到泰國水患硬盤缺貨影響，再度緩跌直達冰點，報價幾乎直探歷史低點，即使用最先進的30納米制程生產也仍是虧錢，不過，瑞晶能提前完成制程轉換，在技術實力上仍證明已大幅拉近和國際大廠間的競爭差距，屆時若報價止跌反彈，也會是最大的受益者。

　　根據分析，以30納米制程生產2Gb DDR3芯片含封裝測試的成本約1.1~1.2美元，雖然制程微縮讓芯片成本下滑，但仍卡在封測成本仍相當高，而若以30納米制程生產4Gb芯片，成本則可降至2美元水平。

　　由于瑞晶的生產成本極具優勢，且每一世代的制程轉換速度都優于原訂目標，是少數有機會追趕三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)等韓系大廠的DRAM廠，瑞晶母公司爾必達在成本考量，加上日幣大幅升值下，未來也會加速將DRAM生產基地移到瑞晶生產，以符合PC DRAM的生產競爭力。