數字電源控制模擬控制能力
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本文引用地址：http://www.104case.com/article/124365.htm
(圖字：占空比(標稱值變化百分比)，損耗(W))
因此，由于占空比可以作為測量相對損耗的方法使用，可以在數字實現過程中改變參數，并對占空比的影響情況進行監測。如果占空比增加，則可以在相反的方向調整參數，可以減少占空比(和相對損耗)。
死區時間是高側FET關斷和低側FET導通之間的時間，反之亦然。如果死區時間過長，體二極管導通代表可能會出現損耗。如果死區時間太短，那么就可能發生交叉導通，也引入了損耗，如圖11所示。
(圖字：損耗(W)，H-L延遲(ns))
在大多數設計中，最佳死區時間不是固定值。圖12顯示了幾種情況下低側柵極信號和開關節點的波形。上圖為60納秒時的固定死區時間。左上圖是電流為1安培的情況，右上圖是20安培負載電流的情況。請注意，也就是說，波形之間的相對差額在中電壓范圍。還要注意，在20安培情況下，開關節點電壓中有一些下沖，這表明死區時間過長(導致體二極管導通)。
(圖字：Sw節點，LS門)
下圖有12納秒的固定死區時間。請注意，在這種情況下，在電流函數痕跡之間差別不大。因此，理想的死區時間可能無法由一定的電壓波形來確定。理想的死區時間很可能是負載電流的一個函數。請注意，開關節點電壓過沖說明有交叉導通，即這種情況說明死區時間太短。
圖13顯示了分別使用60納秒和28納秒最佳死區時間設置的1安培和20安培的波形。請注意，開關節點的下沖或過沖較少。
因為我們知道，相對損耗可以通過占空比測得，數字控制可以改變死區時間，同時觀察占空比，從而優化了轉換器的效率。該算法可優化隨負載變化，以及溫度變化，及器件老化的效率，得到最佳效率。
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