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        宜普開發(fā)板專為使用增強(qiáng)型eGaN FET的系統(tǒng)而設(shè)計

        —— 這種開發(fā)板能使用戶更方便地使用宜普增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管設(shè)計產(chǎn)品
        作者: 時間:2011-09-29 來源:中電網(wǎng) 收藏

          普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出EPC9005/EPC9006,這種能使用戶更方便地使用增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管設(shè)計產(chǎn)品。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/124057.htm

          EPC9005

          EPC9005開發(fā)板能使用戶更方便地使用40V增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN®)場效應(yīng)晶體管設(shè)計產(chǎn)品。受益于eGaN FET性能的應(yīng)用包括高速DC/DC電源、負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器、D類音頻放大器、硬開關(guān)和高頻電路。

          EPC9005開發(fā)板是一種40V最大輸入電壓、7A最大輸出電流并帶板載柵極驅(qū)動器的半橋電路設(shè)計及采用EPC2014 40V eGaN FET。推出這種開發(fā)板的目的是簡化評估EPC2014 eGaN FET的過程,因?yàn)镋PC9005是塊單板,上面集成了所有關(guān)鍵元器件,可以方便地連接任何現(xiàn)有轉(zhuǎn)換器。

          EPC9005開發(fā)板尺寸為2英寸x1.5英寸,不僅包含了帶柵極驅(qū)動器且采用半橋配置的兩個EPC2014 eGaN FET,而且包含有板載柵極驅(qū)動電源和旁路電容。EPC9005開發(fā)板集成了所有關(guān)鍵元器件及布局,以實(shí)現(xiàn)最優(yōu)開關(guān)性能。電路板上還備有多個探測點(diǎn),以便測量簡單的波形和計算效率。

          EPC9006開發(fā)板

          EPC9006開發(fā)板能使用戶更方便地使用100V增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN®)場效應(yīng)晶體管設(shè)計產(chǎn)品。受益于eGaN FET性能的應(yīng)用包括高速DC/DC電源、負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器、D類音頻放大器、硬開關(guān)和高頻電路。

          EPC9006開發(fā)板是一種100V最大輸入電壓、5A最大輸出電流并帶板載柵極驅(qū)動器的半橋電路設(shè)計及采用EPC2007eGaN FET。推出這種開發(fā)板的目的是簡化評估EPC2007 eGaN FET的過程,因?yàn)镋PC9006是塊單板,上面集成了所有關(guān)鍵元器件,可以方便地連接任何現(xiàn)有轉(zhuǎn)換器。

          EPC9006開發(fā)板尺寸為2英寸x1.5英寸,不僅包含了帶柵極驅(qū)動器及采用半橋配置的兩個EPC2007eGaN FET,而且包含有板載柵極驅(qū)動電源和旁路電容。EPC9006開發(fā)板集成了所有關(guān)鍵元器件及布局,以實(shí)現(xiàn)最優(yōu)開關(guān)性能。電路板上還備有多個探測點(diǎn),以便測量簡單的波形和計算效率。



        關(guān)鍵詞: 宜普 開發(fā)板

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