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        安森美半導體推出三款瞬態電壓抑制器

        —— 三款新器件為高速數據線路提供低鉗位電壓、最佳信號完整性的ESD保護
        作者: 時間:2011-09-20 來源:電子產品世界 收藏

          2011年9月20日 – 應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商半導體(ON Semiconductor)推出最新的高速數據線路用瞬態電壓抑制器()。這三款新器件——、MG2040及ESD7104為高速數據及視頻線路,以業界最低電容、最高信號完整性及低鉗位電壓提供靜電放電(ESD)保護。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/123700.htm

          半導體保護產品分部副總裁兼總經理Gary Straker說:“隨著消費類及計算機產品采用帶寬更高的新接口,低電容及低鉗位電壓是確保穩定操作的關鍵。這些新器件的性能不僅領先業界,且節省空間成本,并簡化設計而減少工程設計挫折,為工程師提供了極佳的ESD保護方案選擇。”

          的設計旨在保護達4個高速差分對(8條線路),提供業界領先的ESD保護能力,以節省空間的封裝設計提供僅為0.12皮法(pF)的極低輸入/輸出(I/O)至地電容。這新元件以流越型(flow-through) UDFN18封裝來組裝,配合簡單的印制電路板(PCB)布線及匹配的走線長度以維持高速線路阻抗的一致性。提供領先業界的低電容確保超快接口能提供高信號完整性。它的新興應用包括USB 3.0、V-by-One™及Thunderbolt (Light Peak),其中在USB 3.0應用中提供全集成方案,保護3個高速對及電源(Vcc)和識別(Iden)線路。ESD7008其它普及應用中也證明為極佳保護方案,包括HDMI™、DisplayPort及低壓差分信令(LVDS)。

          MG2040瞬態電壓抑制器的設計專門提供完整功能的集成ESD保護方案,保護多達14條線路,涵蓋HDMI及Display接口的所有工作引腳。典型值0.35 pF(I/O至GND)的超低電容、流越型封裝設計及低ESD鉗位電壓使MG2040非常適合保護對電壓敏感的高速數據線路。MG2040在以單器件替代須使用多顆元件的應用,因而節省成本及電容板空間,同時提升性能。

          半導體推出的第三款新瞬態電壓抑制器是ESD7104。這器件采用極節省空間的UDFN10封裝,配合簡單布線及匹配的高速差分線路之間的走線長度,用于USB 3.0、HDMI、Esata 3.0及DisplayPort等應用。ESD7104為多達4條線路提供低電容ESD保護,提供典型值0.3 pF的典型I/O至GND電容。

          安森美半導體這三款新的瞬態電壓抑制器的工作結溫范圍為-55 ºC至+125 ºC。它們提供15千伏(kV)接觸及空氣放電保護,更勝IEC61000-4-2 (level 4)保護要求。這些器件每10,000片批量的單價在0.15美元至0.30美元。



        關鍵詞: 安森美 TVS ESD7008

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