英飛凌推出全新40V P溝道OptiMOS P2芯片

　　2011年9月9日，德國紐必堡訊——英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)近日宣布推出采用先進(jìn)溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS  P2產(chǎn)品為能效改進(jìn)、碳減排和成本節(jié)約樹立了行業(yè)新標(biāo)桿，從而進(jìn)一步鞏固英飛凌在新一代汽車電源管理應(yīng)用領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。

　　新推出的器件系列采用多種標(biāo)準(zhǔn)封裝，電流范圍為50A至180A，囊括30多個器件型號，其中包括通態(tài)電阻最低的車用P溝道40V MOSFET。180A是P溝道工藝的基準(zhǔn)。P溝道40V OptiMOS P2產(chǎn)品用作汽車橋式電路中的高邊開關(guān)，無需額外的電荷泵器件，從而可大幅節(jié)約成本，改進(jìn)電磁干擾性能。新器件與PWM(脈寬調(diào)制)控制裝置結(jié)合使用，可具備優(yōu)于N溝道 MOSFET的熱性能和抗雪崩性能。這使它成為汽車電池反接保護和電機控制應(yīng)用的理想之選，例如EPS(電動助力轉(zhuǎn)向)電機控制裝置、三相電機和H橋電機(如擋風(fēng)玻璃雨刮器、電動駐車制動裝置、空調(diào)風(fēng)扇控制裝置和電動水泵以及電動燃油泵等)。

　　鑒于溝道型MOSFET所具備的成本和能效優(yōu)勢，整個行業(yè)都明顯看好這種技術(shù)。基于英飛凌的第二代溝道工藝，OptiMOS P2器件具備低柵極電荷、低電容、低開關(guān)損耗、大電流和出色的性能系數(shù)指標(biāo)(性能系數(shù)：RDS(on) x Qg)，從而使電機具備高能效，同時最大程度地降低電磁輻射。例如，僅2.4mΩ的行業(yè)最低通態(tài)電阻(采用D2PAK封裝，電壓10V)不足市場上同類MOSFET的三分之一。

　　通過推出全新的P溝道40V器件，英飛凌壯大了適用于采用橋式配置的電機控制裝置的產(chǎn)品陣容。這種采用橋式配置的電機控制裝置廣泛應(yīng)用于各種汽車系統(tǒng)。橋式配置需要高邊MOSFET和低邊MOSFET。相對于N溝道MOSFET，新型P溝道器件不需要額外的電荷泵執(zhí)行驅(qū)動直流有刷電機或直流無刷三相電機的高邊開關(guān)的功能。這可節(jié)省成本，因為P溝道也可通過一個簡單的驅(qū)動電路驅(qū)動。對于H橋電機而言，平均可節(jié)省大約5%至10%的成本。

　　舉例來說，傳統(tǒng)的液壓助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)依靠發(fā)動機提供動力，這意味著電機必須持續(xù)不斷地運行。對于電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)而言，只是在需要助力時才使用電機，這有助于降低油耗。利用電控水和油泵代替液壓水和油泵還可使車身重量減輕多達(dá)4公斤，從而提高燃油效率。從環(huán)保的角度而言，電動泵也具備優(yōu)勢，因為在車輛回收時沒有什么油需要處理。此外，電動水泵絕對是混合動力汽車必備的裝置。

　　在MSL1 (潮濕敏感度等級1)條件下，采用結(jié)實耐用封裝(Robust Package)的OptiMOS P2器件可承受高達(dá)260 °C的回流焊接溫度。OptiMOS P2器件還采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無鉛電鍍的要求。這種功率MOSFET完全符合汽車電子委員會的AEC-Q101規(guī)范。