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        Rambus新技術:0.5納秒極速內存開關

        —— 有望為內存設備帶來全新改變
        作者: 時間:2011-06-20 來源:cnBeta 收藏

          聲名狼藉,不過在技術方面的確是有自己的一套。在東京召開的2011年超大規模集成電路討論會上,就宣布了一種突破性的快速加電、低功耗時鐘技術,有望為內存設備帶來全新的面貌。配合40nm低功耗CMOS工藝,這種新技術能夠讓內存在0.5納秒的時間內完成從零功耗待機狀態到每個差分鏈接5+Gbps高速數據傳輸工作狀態的轉換,同時運行功耗僅僅2.4mW/Gb/s,也就是說全速工作的時候每秒也不過12mW。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/120585.htm

          為了改進服務器和移動系統的能效,人們一直在尋求降低內存子系統功耗的方法。服務器應用中面臨的主要挑戰是需要快速切入和切出最低功耗狀態,而移動系統雖然支持多種電源狀態,但是低功耗運行通常需要復雜的電源狀態電路來配合完成。

          聲稱,他們研發的新技術能夠避免這些弊端,實現內存子系統極快速地開關,而且可與SoC與內存界面、SoC與SoC連接相整合,從而縮短訪問延遲、簡化系統設計、降低整體系統功耗。



        關鍵詞: Rambus 內存開關

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