英飛凌節(jié)能芯片以出色性能幫助全球降低能耗

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　　碳化硅肖特基二極管thinQ!™——采用TO封裝的高能效1200V器件

　　隨著時間的推移，英飛凌推出的第二代碳化硅肖特基二極管，已經(jīng)成為不成文的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。現(xiàn)在，英飛凌進一步擴充了這個本已十分廣博的產(chǎn)品組合，推出了采用新的TO-247HC(長爬電距離)封裝的1200V碳化硅二極管。

　　這種新的封裝完全兼容行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)TO-247，因而可輕松用于現(xiàn)有的設(shè)計，而無需付出額外的努力。更長爬電距離，可提高系統(tǒng)安全性，有效防止系統(tǒng)內(nèi)部的灰塵或污垢導(dǎo)致的短路，特別是電弧。這樣，就不需要使用額外的化學(xué)(硅膠或硅霜)或機械(護套或箔)手段來避免封裝引線之間存在任何污染，從而充分發(fā)揮快速的精益生產(chǎn)工藝的所有優(yōu)勢。碳化硅肖特基二極管thinQ™系列的目標(biāo)應(yīng)用包括太陽能系統(tǒng)、UPS、SMPS和電機逆變器等，可全面滿足客戶不斷提高能效和功率密度的需求。

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　　全新60V邏輯電平OptiMOS“606”系列小信號MOSFET

　　英飛凌以提供適用于汽車(AEC Q101)的品質(zhì)優(yōu)異的小信號MOSFET而聞名于世。現(xiàn)在，新推出的60V邏輯電平OptiMOS“606”家族，進一步豐富了這個產(chǎn)品組合。這種60毫歐姆邏輯電平器件，具備出類拔萃的單位面積RDSon，并且具有很低的Qg，可以實現(xiàn)更好的輕載效率。這種產(chǎn)品采用流行的SOT89、TSOP6和SC59封裝，特別適于強調(diào)節(jié)省空間、降低功耗的應(yīng)用。目標(biāo)應(yīng)用包括，作為低功率DC/DC電源轉(zhuǎn)換器的外接FET、在用于電動汽車、混合動力汽車和外充電式混合動力汽車的電池能量控制模塊(BECM)中發(fā)揮平衡作用，以及用作多種微控制器的外接FET。