QDR聯(lián)盟推出新型最高速的QDR SRAM

　　北京訊，包括賽普拉斯半導體公司(NASDAQ:CY)和瑞薩電子公司(TSE: 6723)在內(nèi)的QDR聯(lián)盟日前宣布推出業(yè)界最快的四倍數(shù)據(jù)率(QDR) SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)。這些新型存儲器將被命名為QDRII+ Xtreme并將以高達633兆赫茲(MHz)的時鐘頻率允許。這些器件將與現(xiàn)有的QDR II+器件在管腳、尺寸和功能方面兼容，從而使網(wǎng)絡交換機、路由器及聚合平臺制造商不必修改電路板設計，只需提高系統(tǒng)內(nèi)時鐘速度即可大幅改善產(chǎn)品性能。

　　新型QDR II+ Xtreme SRAM將采用x18 o或x36字寬，4或2次突發(fā)訪問。4次突發(fā)器件的隨機存取速率(RTR)可達每秒6.33億次，工作時鐘頻率為633MHz，這是QDR SRAM器件現(xiàn)有的最高速度。2次突發(fā)器件以450MHz的頻率工作，RTR可達每秒9億次隨機傳輸，這比以同樣頻率運行的上一代4次突發(fā)器件的RTR提高了一倍。 隨機存取速率的定義是每秒進行的完全隨機存取次數(shù)，是重要的存儲器指標，用以衡量增加的線或交換速度。

　　賽普拉斯存儲器事業(yè)部執(zhí)行副總裁Dana Nazarian 說：“QDR II+ Xtreme產(chǎn)品無需重新進行系統(tǒng)設計即可大幅提升性能，這對于期望趕上流量要求步伐的網(wǎng)絡設備制造商非常有吸引力。QDR聯(lián)盟正積極制定一系列后續(xù)解決方案，以支持網(wǎng)絡工業(yè)界對存儲器不斷提高的要求。”

　　瑞薩電子公司工業(yè)和網(wǎng)絡事業(yè)部高級經(jīng)理Hiroyuki Goto說：“SRAM器件是追求高性能存儲器解決方案的客戶的另一個很好的選擇。我們很高興能以QDR II+ Xtreme架構(gòu)保持領先地位。”

　　.供貨情況

　　賽普拉斯的36兆比特(Mb)和72Mb QDR II+ Xtreme器件的工程樣片將于2011年年中向領先客戶提供。