SanDisk推出19納米存儲制造工藝

　　SANDISK Corporation 近日宣布推出采用全球領先的19納米存儲制造工藝、基于2-bits-per-cell (X2) 技術的64-gigabit (Gb) 單塊芯片。此項技術將令SanDisk制造出適用于手機、平板電腦和其他設備的高性能、小尺寸嵌入式和可移動存儲設備。

　　SanDisk將于本季度推出19納米64Gb X2芯片的樣片，并預計于2011年下半年開始量產。屆時，SanDisk還將在其產品系列中添加一款基于19納米工藝技術制造的3-bits-per-cell (X3) 產品。

　　SanDisk執行副總裁兼首席技術官Yoram Cedar表示：“通過與制造伙伴東芝 (Toshiba) 的持續合作，我們非常高興能夠推出基于行業領先的19納米工藝技術的全球最小、成本最低的NAND閃存芯片。基于該項技術的產品將幫助實現新的應用、尺寸和消費者體驗，正是這些應用將閃存行業的發展推上了新的臺階。”

　　19納米存儲芯片采用了包括先進的工藝創新和單元設計解決方案在內的、時下最先進的閃存技術制造工藝。SanDisk的All-Bit-Line (ABL) 架構擁有專用的程序設計算法和多層式數據儲存管理方案，從而在制造多層單元 (MLC) NAND閃存芯片時不會影響其性能或可靠性。