華潤微電子1200V Trench NPT IGBT工藝平臺開發成功

　　華潤微電子有限公司（后簡稱“華潤微電子”）宣布其附屬公司華潤上華科技有限公司（后簡稱“華潤上華”）已開發完成1200V Trench NPT IGBT（溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管）工藝平臺，各項參數均達到設計要求，成功進入Trench IGBT代工市場。

　　華潤上華開發的該工藝產品關鍵參數如最高耐壓V(BR)CES、導通飽和電壓VCE(on)、關斷損耗Eoff ，以及在實際應用中的溫升效果都與國際大廠相當，該工藝產品主要應用于電磁爐。根據國內權威的市場調查機構資料，2010年中國電磁爐用IGBT的市場規模達4.6億元人民幣，預期2011年中國電磁爐用IGBT市場規模為5.3億元人民幣，較2010年成長15.2%，到2012年與2013年分別達6.1億元人民幣與7.0億元人民幣，增長率分別為15.1%與14.8%。

　　華潤上華作為國內首家以晶圓代工模式立足中國半導體市場的產業先鋒，自2005年DMOS工藝量產以來，成功開發量產了6英寸高壓平面柵400-650V 系列DMOS、6英寸中壓平面柵50-200V系列DMOS、8英寸低壓溝槽柵20-40V系列DMOS、8英寸中壓溝槽柵50-80V系列DMOS等豐富的功率器件工藝平臺。此次1200V Trench NPT IGBT工藝平臺的開發成功，使得華潤微電子和華潤上華在功率器件代工的工藝平臺更為全面，將進一步促進國內新型電力電子產業的發展，提高節能減排關鍵部件的國產化水平和比重。