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        安森美半導體180 nm工藝技術嵌入Sidense的1T-OTP存儲器

        作者: 時間:2011-04-01 來源:電子產品世界 收藏

          領先的邏輯非易失性存儲器(LNVM)一次性可編程(OTP)存儲器知識產權(IP)內核開發商Sidense與應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商(ON Semiconductor)宣布,Sidence已將其180納米(nm) OTP存儲器SLP產品線移配到的180 nm數字及混合信號技術平臺ONC18。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/118318.htm

          此特許協議將使SLP宏模塊能夠用于的專用標準產品(ASSP),以及那些期望制造的專用集成電路(ASIC)產品中包含OTP IP的客戶。此外,Sidence也將能夠服務他們公司期望使用SLP宏模塊及安森美半導體晶圓代工服務的客戶。單個SLP宏模塊的密度范圍最高達250 Kb。

          安森美半導體數字及混合信號產品部高級副總裁Bob Klosterboer說:“隨著我們的產品中內嵌Sidence安全可靠的OTP宏模塊,安森美半導體在為客戶提供涵蓋多種應用的前沿硅產品方面,比競爭對手多了一項新增優勢。我們選擇Sidense的OTP IP,既是因為它功耗低、占位面積小,也因為它不用我們更改或增添標準工藝流程。”

          Sidence總裁兼首席執行官(CEO) Xerxes Wania說:“我們非常高興與安森美半導體這樣的業界領袖合作。此次協作將為安森美半導體添加又一珍貴IP資源,用于期望使用Sidence OTP以獲得安全可靠及高性價比存儲器的安森美半導體客戶,還使Sidense能夠服務我們那些期望使用安森美半導體晶圓代工資源的客戶。”



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