下一代低VCEsat雙極晶體管

　　通過選擇不同的低電阻襯底，例如圖1所示的摻磷或摻砷襯底，可以大幅降低壓降中半導體部分引起的壓降所占的比例。另一個重要的影響因素是電流分布，它應在整個芯片范圍內盡可能保持均衡，并且將芯片前端金屬化的擴展電阻降至最低。對于BISS晶體管，芯片中的電流均衡分布通過一種稱為網格設計(將晶體管分成不同的柵格結構)的方法來實現。BISS 4晶體管采用受專利保護的雙層金屬化布局，能夠盡量提升發射極線路金屬厚度，從而將飽和電阻降至最低(參見圖2)。

　　縮短開關時間：集成鉗位元件，降低擴散電容

　　要在降低飽和電壓的基礎上縮短開關時間，關鍵是盡量降低開關操作中的晶體管擴散電容。這主要通過集成的寄生鉗位結構(圖3)來實現，該設計可以避免過度驅動飽和狀態下的晶體管并有效降低晶體管的存儲時間ts。

　　典型應用

　　低VCEsat晶體管兼具雙極晶體管的優勢和低RCEsat值(可與典型MOSFET的RDSon媲美)，主要滿足常規開關應用。這些應用包括驅動電壓較小的電池供電設備中的負載開關(圖4)。由于實際應用中反向電流阻斷和高能效具有決定性意義，因此雙極晶體管比MOSFET更有優勢。例如低VCEsat晶體管通常作為手機等產品的電源管理單元(PMU)中的電荷存儲晶體管使用。

　　另外，筆記本電腦中使用低VCEsat晶體管，可以降低風扇或接口電源負載開關的損耗，延長電池使用時間。

　　降低飽和電壓：低電阻半導體襯底、芯片金屬化結構和芯片設計