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        賽靈思宣布采用 28 納米工藝加速平臺開發

        —— 賽靈思宣布采用 28 納米高性能低功耗工藝
        作者: 時間:2010-02-23 來源:電子產品世界 收藏

          加速平臺發展,推動可編程技術勢在必行之發展趨勢

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/106196.htm

          隨著 ASIC 和 ASSP變得只適用于那些最大批量規模的應用,賽靈思積極致力于的降低總功耗的努力,在全面發掘 的可用潛力以幫助系統支持多種應用方面就越發重要。例如,便攜式醫療設備需要降低價格、縮減尺寸、降低靜態功耗以支持電池供電操作,同時還要減少熱耗散以便滿足航空航天和國防領域在高性能計算、電子戰和雷達系統方面較高的性能需求。而太空與國防領域的應用則需要借助降低散熱來提升性能,讓電子作戰與雷達系統具備更高性能的運算能力。

          全新硅器件和開發工具將構成賽靈思和第三方合作伙伴共同推出的新一代目標設計平臺的基礎平臺,并將提供只有借助賽靈思的工藝技術、架構和工具創新才能實現的“超高端 ”。

          超高端 集成了較高的串行 I/O 帶寬,邏輯密度比目前高端 FPGA 的邏輯密度高一倍多,而且采用高帶寬接口支持新一代存儲技術。這樣,電信系統開發人員就能用它來替代單個大型 ASIC 或 ASSP 芯片組,滿足以下應用的需求:

          · 電信系統的高端 Tb 級交換結構:超高端 FPGA 可通過集成全球最高帶寬的串行 I/O 來支持 1Tbps 全雙工交換機的單芯片實施方案,其邏輯密度比目前的 FPGA 翻了一番,而且高帶寬接口可支持新一代存儲技術以最終取代單個大型 ASIC 或ASSP 芯片組。

          · 400G 光傳輸網絡 (OTN) 線路卡:單部超高端 FPGA 所執行的帶寬足以支持多個 40G 或 100G 單芯片實施方案以替代線路卡上的多個 ASSP。

          供貨情況

          建立在臺灣半導體制造有限公司 (TSMC)三星(Samsung)代工高性能低功耗高介電層/金屬閘 (high-k metal gate)工藝技術之上的技術的初始器件將于 2010 年第四季度上市,并將于同年 6 月提供 ISE 設計套件初期工具支持。


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        關鍵詞: Xilinx 28納米 FPGA

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