英飛凌日立開發(fā)90納米硬盤驅(qū)動(dòng)器

    英飛凌科技股份公司宣布推出一款先進(jìn)的硬盤驅(qū)動(dòng)器讀取信道內(nèi)核，這是第一種采用該公司90納米工藝生產(chǎn)的集成電路。該產(chǎn)品由英飛凌和日立環(huán)球存儲(chǔ)技術(shù)有限公司共同開發(fā)，是適用于下一代硬盤驅(qū)動(dòng)器的高集成控制器芯片開發(fā)過程中的一個(gè)里程碑。 

    英飛凌副總裁兼專用集成電路和設(shè)計(jì)解決方案事業(yè)部（ADS）總經(jīng)理Sandro Cerato說：“采用90納米工藝制造讀取信道內(nèi)核，使硬盤驅(qū)動(dòng)器行業(yè)能夠滿足下一代產(chǎn)品要求，包括更高的數(shù)據(jù)率、更低的能耗和更小的晶片面積，從而能夠以更具競(jìng)爭(zhēng)力的成本推出更高級(jí)的片上系統(tǒng)（SOC）解決方案。首例經(jīng)過測(cè)試的內(nèi)核芯片，鎖相環(huán)路(PLL)能夠達(dá)到3.6GHz的速度，而模擬前端信號(hào)通道可以實(shí)現(xiàn)高達(dá)2.7Gb/s的數(shù)據(jù)率。和采用130納米工藝的先進(jìn)讀取信道相比，性能提高約50%。” 

    市場(chǎng)分析公司Gartner Dataquest于2005年8月發(fā)表的研究報(bào)告表明，在移動(dòng)和臺(tái)式設(shè)置應(yīng)用的推動(dòng)下，全球硬盤驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將從2005年的33億美元增長(zhǎng)到2009年的45億美元，增幅近30%。 

     新一代讀取信道技術(shù)可以支持一些高級(jí)的功能，如垂直錄寫，并利用第二代反向并聯(lián)編碼技術(shù)來大幅提高存儲(chǔ)密度，實(shí)現(xiàn)更佳的信噪比（SNR）性能。 


       英飛凌的90納米讀取信道內(nèi)核立足于一個(gè)通用架構(gòu)，適用于所有硬盤驅(qū)動(dòng)器細(xì)分市場(chǎng)（如企業(yè)級(jí)、臺(tái)式、移動(dòng)和超低功耗應(yīng)用等）。按照每個(gè)細(xì)分市場(chǎng)的特定目標(biāo)參數(shù)進(jìn)行定制化設(shè)計(jì)，能夠滿足不同硬盤驅(qū)動(dòng)器平臺(tái)的要求。 


       目前英飛凌正在開發(fā)另一種讀取信道內(nèi)核產(chǎn)品，用于電池供電設(shè)備，旨在實(shí)現(xiàn)極低的功耗。由于采用了能夠支持手機(jī)等便攜產(chǎn)品的英飛凌90納米工藝，這種產(chǎn)品還能實(shí)現(xiàn)超長(zhǎng)的待機(jī)時(shí)間和更佳的泄漏電流表現(xiàn)。

(摘自http://www.ednchina.com)