黃仁勛確認(rèn)三星HBM3e未通過(guò)認(rèn)證，但否認(rèn)與功耗和散熱問(wèn)題有關(guān)

6月5日消息，英偉達(dá)（NVIDIA）CEO黃仁勛在Computex Taipei 2024的全球媒體記者會(huì)上首次公開(kāi)表示，三星先進(jìn)的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片尚未通過(guò)進(jìn)行英偉達(dá)的官方認(rèn)證。而英偉達(dá)的認(rèn)證是三星開(kāi)始供應(yīng)HBM3和HBM3e之前的最后一步，這對(duì)于英偉達(dá)發(fā)展人工智能（AI）平臺(tái)相當(dāng)重要。此前有消息指出，三星最新的HBM模塊未通過(guò)英偉達(dá)認(rèn)證，是因?yàn)榇嬖谶^(guò)熱和功耗問(wèn)題。三星隨后否認(rèn)了其HBM產(chǎn)品有過(guò)熱和功耗的問(wèn)題，并表示其最先進(jìn)的HBM3e產(chǎn)品的發(fā)展順利進(jìn)行當(dāng)中。黃仁勛最新的回應(yīng)稱，三星的“這些產(chǎn)品尚未通過(guò)任何認(rèn)證，使得這些HBM產(chǎn)品尚未完全進(jìn)入部署，我們還需要進(jìn)行工程設(shè)計(jì)的工作，但是這目前還沒(méi)完成。”并未表示三星HBM存在過(guò)熱和功耗問(wèn)題。由于現(xiàn)階段三星仍然是全球最大的內(nèi)存芯片生產(chǎn)商，盡管它在HBM生產(chǎn)能力方面落后。但是三星表示，已開(kāi)始量產(chǎn)其8層堆疊HBM3e產(chǎn)品，并將很快開(kāi)始量產(chǎn)12層堆疊的產(chǎn)品，這將使得2024年HBM供應(yīng)量預(yù)計(jì)將比2023年增加至少三倍。當(dāng)前，韓國(guó)的SK海力士在HBM3和HBM3e芯片方面處于領(lǐng)先地位，其目前也是英偉達(dá)HBM3和HBM3e的主要供應(yīng)商。該公司的芯片產(chǎn)能到2025年都已被預(yù)訂滿，這使得SK海力士計(jì)劃斥資146億美元，建造新的生產(chǎn)基地以滿足需求。三星也計(jì)劃加緊研發(fā)腳步，希望能進(jìn)一步拿回在內(nèi)存市場(chǎng)領(lǐng)先的地位。來(lái)源：芯智訊

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