黃仁勛確認三星HBM3e未通過認證，但否認與功耗和散熱問題有關

6月5日消息，英偉達（NVIDIA）CEO黃仁勛在Computex Taipei 2024的全球媒體記者會上首次公開表示，三星先進的高帶寬內存（HBM）芯片尚未通過進行英偉達的官方認證。而英偉達的認證是三星開始供應HBM3和HBM3e之前的最后一步，這對于英偉達發展人工智能（AI）平臺相當重要。此前有消息指出，三星最新的HBM模塊未通過英偉達認證，是因為存在過熱和功耗問題。三星隨后否認了其HBM產品有過熱和功耗的問題，并表示其最先進的HBM3e產品的發展順利進行當中。黃仁勛最新的回應稱，三星的“這些產品尚未通過任何認證，使得這些HBM產品尚未完全進入部署，我們還需要進行工程設計的工作，但是這目前還沒完成。”并未表示三星HBM存在過熱和功耗問題。由于現階段三星仍然是全球最大的內存芯片生產商，盡管它在HBM生產能力方面落后。但是三星表示，已開始量產其8層堆疊HBM3e產品，并將很快開始量產12層堆疊的產品，這將使得2024年HBM供應量預計將比2023年增加至少三倍。當前，韓國的SK海力士在HBM3和HBM3e芯片方面處于領先地位，其目前也是英偉達HBM3和HBM3e的主要供應商。該公司的芯片產能到2025年都已被預訂滿，這使得SK海力士計劃斥資146億美元，建造新的生產基地以滿足需求。三星也計劃加緊研發腳步，希望能進一步拿回在內存市場領先的地位。來源：芯智訊

*博客內容為網友個人發布，僅代表博主個人觀點，如有侵權請聯系工作人員刪除。