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        CIAS2024黃金贊助 飛锃半導(dǎo)體攜產(chǎn)品重磅來(lái)襲!

        發(fā)布人:旺材芯片 時(shí)間:2024-03-02 來(lái)源:工程師 發(fā)布文章


        PART/1

        公司簡(jiǎn)介

        飛锃半導(dǎo)體(Alpha Power Solutions,簡(jiǎn)稱APS)是中國(guó)領(lǐng)先的第三代碳化硅功率半導(dǎo)體器件供應(yīng)商,國(guó)內(nèi)最早從事碳化硅器件研發(fā)的公司之一,率先成功地使用6英寸碳化硅(SiC)技術(shù),實(shí)現(xiàn)國(guó)內(nèi)該領(lǐng)域技術(shù)破冰。飛锃半導(dǎo)體采用CIDM策略,已經(jīng)在新能源、光伏、充電樁行業(yè)等國(guó)內(nèi)頭部企業(yè)成功部署應(yīng)用,為他們提供優(yōu)化的碳化硅產(chǎn)品,為碳中和提供解決方案。


        飛锃半導(dǎo)體成立于2018年,總部位于上海,在深圳、香港、北京等地均設(shè)有分子公司。公司匯聚了國(guó)內(nèi)功率器件領(lǐng)域頂尖的人才團(tuán)隊(duì),多位核心領(lǐng)導(dǎo)曾擔(dān)任中芯國(guó)際、士蘭微等公司中高層,核心研發(fā)和市場(chǎng)團(tuán)隊(duì)多來(lái)自意法半導(dǎo)體、英飛凌、安森美等國(guó)際領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司,在FAB運(yùn)營(yíng)、晶圓大規(guī)模生產(chǎn)及制造等方面擁有高超的專業(yè)能力和豐富的經(jīng)驗(yàn),具備從設(shè)計(jì)到制造的全產(chǎn)業(yè)鏈資源。


        飛锃半導(dǎo)體能夠快速突破并取得成功,離不開(kāi)多年來(lái)對(duì)技術(shù)創(chuàng)新的持續(xù)投入和積累。公司的員工中,有58%以上是研發(fā)人員,他們致力于技術(shù)創(chuàng)新,已獲得超過(guò)40余項(xiàng)自主研發(fā)的專利。在國(guó)內(nèi)功率器件領(lǐng)域中,飛锃半導(dǎo)體技術(shù)的積淀和研發(fā)能力都處于領(lǐng)先地位。


        截至2023年,1200V碳化硅器件累計(jì)出貨超過(guò)了2400萬(wàn)顆,得到了新能源汽車、消費(fèi)電子以及工業(yè)市場(chǎng)的客戶好評(píng)。其中SiC MOSFET營(yíng)收迅速提升,相比2022年,SiC MOSFET創(chuàng)造的營(yíng)收從17%增長(zhǎng)至50%,這表明市場(chǎng)對(duì)飛锃半導(dǎo)體產(chǎn)品的認(rèn)可,也推動(dòng)了公司業(yè)務(wù)的持續(xù)增長(zhǎng)和市場(chǎng)地位的提升。


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        PART/2

        產(chǎn)品

        01

        最新一代(Gen3)碳化硅MOSFET:


        圖片

        飛锃半導(dǎo)體推出的第三代碳化硅MOSFET,包含多種市場(chǎng)主流規(guī)格,如1200V 14/18/30/40/80mohm和750V 11mohm,以滿足不同應(yīng)用的需求。在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上,第三代碳化硅MOSFET與上一代相比經(jīng)過(guò)了進(jìn)一步的技術(shù)及工藝改進(jìn),產(chǎn)品具備了更好的參數(shù)一致性,更低的開(kāi)關(guān)損耗、以及更出色的導(dǎo)通特性,以滿足高可靠性和高性能的應(yīng)用需求,廣泛應(yīng)用于充電樁、光伏&儲(chǔ)能、車載OBC/DCDC/主驅(qū)等領(lǐng)域。


        飛锃半導(dǎo)體第3代SiC MOSFET具有以下特點(diǎn):


        1. 第三代 SiC MOSFET 技術(shù)

        2. 具有獨(dú)立驅(qū)動(dòng)源引腳的優(yōu)化封裝

        3. 高阻斷電壓和低導(dǎo)通電阻

        4. 低開(kāi)關(guān)損耗

        5. 具有低反向恢復(fù) (Qrr) 的體二極管

        6. 可通過(guò)AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證


        02

        車規(guī)級(jí)SiC MOSFET助力車企提升效率與安全

        圖片

        目前,飛锃半導(dǎo)體已經(jīng)量產(chǎn)了車規(guī)級(jí)碳化硅MOSFET產(chǎn)品,其中包括1200V 35/70/160mohm和650V 30/45/60mohm規(guī)格,采用了TO247-4和TO263-7封裝形式。這些產(chǎn)品具備高可靠性和高魯棒性,同時(shí)還展現(xiàn)出卓越的開(kāi)關(guān)性能和導(dǎo)通特性。此外,它們還具備出色的體二極管反向恢復(fù)特性,能夠顯著降低車載充電(OBC)和DC-DC應(yīng)用的系統(tǒng)成本。所有產(chǎn)品均通過(guò)了車規(guī)AEC-Q101可靠性驗(yàn)證,并且通過(guò)了960V高壓H3TRB加嚴(yán)測(cè)試。


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