Q2虧損近168億元!SK海力士擴大NAND減產!高端DRAM成增長亮點
7月26日消息,韓國存儲芯片大廠 SK 海力士在其最新公布截止6月30日的2023年第二季度財報,受益于人工智能 (AI) 的市場需求,帶動了存儲芯片的復蘇,使得第二季的虧損較上第一季減少。同時,為了加速NAND Flash庫存去化,SK海力士宣布擴大減產NAND Flash。
SK 海力士第二季度營收為 7.3059 萬億韓元,環比增長 44%,同比下滑 47%;營業虧損額達 2.8821 萬億韓元,環比增長 15%,同比由盈轉虧;凈虧損額達 2.9879 萬億韓元,環比下滑 16%,同比由盈轉虧(去年同期為盈利4.3萬億韓元)。2023 財年第二季度營業虧損率為 39%,凈虧損率為 41%。單季接近3萬億韓元(約合人民幣168億元)的凈虧損,超出了分析師預期的2.7萬億韓元凈虧損。
SK 海力士表示,第二季度 DRAM 和 NAND 的銷量都大幅增加,尤其是 DRAM 平均價格相比一季度有所提升,這對于營業收入增加產生了很大影響。
雖然隨著 PC、智能手機等消費類電子市場需求依舊疲軟,使得DDR4 等普通 DRAM 產品持續降價。但是,隨著以ChatGPT為代表的生成式AI的持續火爆,帶動了高性能AI芯片(包括CPU、GPU)出貨量的持續增長,這也使得配套的HBM(高帶寬內存)的需求大漲。因為AI運算對數據吞度量有很高的需求,只有HBM內存才可以滿足,通常HBM會和GPU、CPU封裝在一起。不過,HBM的價格比較昂貴,是傳統DRAM的2~3倍。此外,AI服務器對于高性能DDR需求也在增長。
SK海力士也表示,隨著以 ChatGPT 為代表的生成式 AI 市場的持續擴大,帶動面向人工智能服務器存儲芯片的需求迅速增長,特別是高帶寬內存HBM3 和 DDR5 DRAM 等高端內存產品銷售增加,使得第二季度的DRAM平均售價高于第一季度,整體的DRAM營收也大幅增長,從而推動二季度營業收入相比第一季度增加了44%,營業虧損也進一步收窄了15%。
在產能規劃方面,SK 海力士表示,2023 年上半年,由于全球經濟景氣不佳,導致了存儲芯片市場需求下降,價格持續下跌。多數的制造商進行了減產(比如三星、鎧俠、美光等),也讓未售出產品的庫存損失大幅提升。現階段,在 NAND Flash 的庫存去化速度相比DRAM更慢,因此SK 海力士決定擴大對于NAND Flash的減產幅度。
相比之下,SK 海力士將下半年的發力重點放到了更具增長潛力的高端DRAM和更高堆疊層數的NAND產品上。SK海力士計劃在三季度擴大 HBM3、高性能 DDR5 和 LPDDR5 DRAM 等用于 AI 服務器的內存產品的銷售,預計相比二季度增長10%-15%。同時,下半年還計劃擴大基于 176 層 NAND Flash的 SSD產品的銷售,并準備批量生產238層的NAND Flash,從而加速改善下半年業績。
SK 海力士認為:“用于 AI 的服務器的內存芯片需求強勢將在今年下半年得到延續,閃存芯片廠商的減產效果或將逐漸明顯。”為此,SK海力士將提升第五代 10 納米級(1b)DRAM 和 238 層 NAND 閃存的初期量產良率和質量,在即將到來的市況好轉時快速提升量產比重。
SK 海力士財務擔當副社長(CFO)金祐賢表示:“雖然全公司的投資規模(資本支出)同比減少 50% 以上的基調沒有變化,但公司將利用通過經營效率化確保的資金,針對今后主導市場的高容量 DDR5、HBM3 DRAM,持續投資擴大生產能力。”
“存儲器半導體市場以第一季度為低點,開始呈現恢復態勢。公司將以高性能產品技術競爭力為基礎,為快速改善業績作出努力。”金祐賢補充說道。
值得注意的是,在快速增長的生成人工智能服務器所需的高帶寬內存 (HBM) 領域,SK海力士一直是領頭羊。市場調研機構 TrendForce 的數據也顯示,2022年度,SK 海力士在 HBM 市場占有率高達50%, 其次是三星電子(40%)和美光科技(10%)。
雖然目前HBM在整個DRAM市場的比重僅為1%。但是SK海力士公司副總裁Park Myoung-soo預計,AI服務器內存(包括HBM、DDR4和DDR5)在整個服務器內存市場的份額將從今年的17%增加到5年后的38%,未來5年人工智能服務器效應帶來的新增DRAM需求將累計達到400億GB。
就SK海力士自身的AI服務器內存的增長來看,之前有報道稱,SK海力士預計,其2024年HBM和DDR5的銷售額有望翻番。
編輯:芯智訊-浪客劍
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