韓媒：三星P3工廠將率先投建176層3D NAND產(chǎn)線，初期月產(chǎn)能達(dá)10K
發(fā)布人：閃存市場(chǎng)
時(shí)間：2022-03-19
來(lái)源：工程師
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據(jù)韓媒報(bào)道，三星電子位于京畿道平澤市的P3工廠已經(jīng)進(jìn)入到基礎(chǔ)設(shè)施投放的環(huán)節(jié)。據(jù)悉，這座混合了NAND、DRAM和晶圓代工產(chǎn)線的工廠將率先開始NAND產(chǎn)線建設(shè)，DRAM和晶圓代工隨后同時(shí)開建。
三星P3工廠于2020年開始投入建設(shè)，建筑許可面積約70萬(wàn)平方米。目前正在準(zhǔn)備一條176層3D NAND生產(chǎn)線，初期月產(chǎn)能約10K。
另外，報(bào)道稱，三星電子將于6、7月份開始建設(shè)基于EUV技術(shù)的14nm制程DRAM生產(chǎn)線以及3nm晶圓代工產(chǎn)線，相關(guān)設(shè)備也將及時(shí)導(dǎo)入。
業(yè)內(nèi)人士表示，三星電子今年的投資熱情相較去年更加高漲。除P3工廠之外，三星的P4工廠可能也在今年開始建設(shè)；位于美國(guó)德州奧斯丁的晶圓代工廠預(yù)計(jì)也將在今年上半年開工；另外，三星電子也將在今年下半年增加P2工廠生產(chǎn)設(shè)備，填補(bǔ)空間。
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