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        7GB/s讀速,12nm工藝,DRAM-less,英韌科技國產PCIe Gen4 SSD控制芯片登場

        發布人:閃存市場 時間:2021-09-12 來源:工程師 發布文章

        繼2020年在全球范圍內率先量產12納米PCIe 4.0 SSD主控芯片Rainier IG5236及IG5636(企業級)后, 英韌科技于2021年9月7日發布Rainier系列全新產品——12納米高性能DRAMless PCIe Gen4 SSD控制芯片RainierQX。

        RainierQX采用四通道PCIe Gen4接口,支持4個NAND通道,每個通道最多8個CE片選通道,全面支持NVMe1.4協議。RainierQX還具有以下優勢:

        采用業界領先的技術,通過獨立平層訪問,以實現極致高速的讀取訪問,并在有限的芯片數量的情況下,有效提高4K隨機讀取性能高達1M IOPs以上;

        順序讀取性能超過7GB/s,順序寫入性能超過6GB/s;

        專有ECC解決方案采用先進的4K LDPC技術,為最新的TLC和QLC提供卓越的糾錯能力,并提供功耗感知多級解碼策略;

        超大SSD容量高達4TB。

        值得一提的是,RainierQX具有增強的12納米FinFET設計的無DRAM架構,英韌科技董事長兼首席執行官吳子寧博士表示:“在DRAM成本增加,PC OEM和渠道市場面臨巨大成本壓力的市場環境下, RainierQX將成為目前無DRAM控制器的最佳解決方案。

        RainierQX在提供低功耗、實現更低BOM成本的同時,因采用業界最快的2400MT/s NAND通道接口和專有數據路徑加速器,仍可以提供與DRAM解決方案相同的峰值性能,這使得該方案明顯優于同類產品中的其他解決方案。”

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