賽微電子北京8英寸MEMS國際代工線啟動量產！

賽微電子北京FAB3成功量產的首款芯片為來自通用微（深圳）科技有限公司（簡稱：通用微，英文名稱：GMEMS）的MEMS麥克風芯片，該芯片具有高信噪比、高AOP特征，與其在賽微電子瑞典FAB代工的同型號芯片性能一致；基于該芯片封裝的MEMS麥克風性能優異，與樓氏電子、英飛凌等國際知名傳感器公司的同類產品相當。
經過通用微進行的嚴格晶圓級性能測試以及對MEMS麥克風進行的性能檢測和可靠性驗證，確認成品性能達到設計指標要求，與基于賽微電子瑞典FAB所代工芯片封裝的MEMS麥克風的關鍵性能一致。同時，賽微電子北京FAB3制造的該首批晶圓良率與賽微電子瑞典FAB1 & FAB2處于同一水平，開始進行批量商業化生產。
通用微是一家全球領先的MEMS傳感芯片供應商，其技術團隊由國內聲學MEMS傳感器的開拓者王云龍博士領銜，扎根聲學MEMS近二十年。通用微聚集了在聲學處理算法和傳感芯片方面的世界頂尖的專家，將聲學微型傳感器的研發與基于人工智能的算法及軟件相結合，從聲學原理入手，融合了MEMS傳感芯片、算法、及數字信號處理器或微處理器，打通了從傳感芯片到模組的全產業鏈，解決了語音交互中的喚醒、低功耗待機、雞尾酒會效應等核心難題。
本次通用微研發的MEMS芯片首次在國內實現量產，為其建立完整的國內供應鏈體系填補了最關鍵和最重要的一環。
顯微鏡下的通用微MEMS麥克風實物（2.75mm x 1.85mm x 0.98mm）
2015年5月，賽微電子實現創業板IPO上市；同年8月，公司啟動收購瑞典Silex。
2016年7月，賽微電子完成收購瑞典Silex；同年11月，公司啟動定增，與國家大基金合資在北京投建FAB3產線。
2017年9月，賽微電子通過委托貸款融資7億元，全部投入北京FAB3產線建設（后于2019年5月歸還）。
2019年2月，賽微電子完成定增融資12.07億元，全部投入北京FAB3產線建設。
2019年12月，賽微電子北京FAB3搬入首臺設備。
2020年9月，賽微電子北京FAB3建成通線。
2021年6月，賽微電子北京FAB3完成竣工驗收、正式啟動量產。

本次北京FAB3實現量產，讓賽微電子同時在瑞典斯德哥爾摩和中國北京兩地擁有業界先進、高質量運營的8英寸MEMS產線，同時賽微電子北京FAB3更是可以提供標準化的規模產能，有利于公司進一步拓展全球市場尤其是亞洲市場，結合先進工藝與規模產能，更好地為下游客戶服務，同時繼續擴大公司MEMS業務的競爭優勢，繼續保持在MEMS純代工領域的全球領先地位。


賽微電子以半導體業務為核心，面向高頻通信背景下的物聯網與人工智能時代，一方面重點發展MEMS工藝開發與晶圓制造業務，另一方面積極布局GaN材料與器件業務，致力于成為一家立足本土、國際化發展的知名半導體科技企業集團。

今年4月份，北京賽微電子股份有限公司發布了關于與青州市人民政府簽署《合作協議》的公告。公告中顯示賽微電子擬在青州經濟開發區發起投資10億元分期建設聚能國際6-8英寸硅基氮化鎵功率器件半導體制造項目，總占地面積30畝，一期建成投產后將形成6-8英寸GaN芯片晶圓5000片/月的生產能力，二期建成投產后將形成6-8英寸GaN芯片晶圓12000片/月的生產能力，將為全球GaN產品客戶的旺盛需求提供成熟的技術支持和產能保障。

據了解，GaN（氮化鎵）屬于第三代半導體材料，第三代半導體材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、金剛石等，因其禁帶寬度（Eg）大于或等于2.3電子伏特（eV），又被成為寬禁帶半導體材料，與第一、二代相比，第三代半導體材料具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子速率等優點，可以滿足現代電子技術對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。

公司已于2018年7月在青島市嶗山區投資設立“青島聚能創芯微電子有限公司”，主要從事功率與微波器件，尤其是氮化鎵（GaN）功率與微波器件的設計、開發；已于2018年6月在青島市即墨區投資設立“聚能晶源（青島）半導體材料有限公司”，主要從事半導體材料，尤其是氮化鎵（GaN）外延材料的設計、開發、生產，該公司投資建設的第三代半導體材料制造項目（一期）已于2019年9月達到投產條件，正式投產。作為公司GaN業務一級平臺公司，聚能創芯匯聚了業界領先團隊，擁有第三代半導體材料生長、工藝制造、器件設計等全產業鏈技術能力及儲備，且截至目前在6-8英寸硅基GaN外延晶圓、GaN功率器件及應用方面已形成系列產品并實現批量銷售。

來源：MEMS