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        GaN FET與硅FET的比較

        • GaN FET與硅FET的比較-功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時(shí)間執(zhí)行數(shù)個(gè)供貨商所使用的成本縮減策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板,以及更低成本的塑料封裝。對(duì)于電源設(shè)計(jì)人員來說,理解GaN有可能帶來的性能提升,以及某些會(huì)隨時(shí)間影響到最終產(chǎn)品性能的退化機(jī)制很重要。
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