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        GaN FET與硅FET的比較
        
                                                            
          
                    	
        • GaN FET與硅FET的比較-功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時間執(zhí)行數(shù)個供貨商所使用的成本縮減策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板，以及更低成本的塑料封裝。對于電源設計人員來說，理解GaN有可能帶來的性能提升，以及某些會隨時間影響到最終產(chǎn)品性能的退化機制很重要。
          • 
                    	                        
        • 關(guān)鍵字：
                        GaNFET  硅FET                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                                

                
        
	                
        
		                	
        
	
        
	共1條
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