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        vishay 文章 最新資訊

        新型高功率高速870nm紅外發(fā)射器(Vishay)

        •   Vishay Intertechnology, Inc.推出具有38o 寬視角、采用引腳封裝的紅外發(fā)射器,從而擴(kuò)大了其光電子產(chǎn)品組合。通過其獨(dú)特設(shè)計(jì)的鏡頭,使TSFF5510 具有38o 的視角范圍,與標(biāo)準(zhǔn)的 5 mm 發(fā)射器相比,可提供更優(yōu)異的性能。 ????   寬視角、高達(dá) 1 A 的功率輸出及高速等特點(diǎn)使 TSFF5510 紅外發(fā)射器非常適合如紅外線收費(fèi)及無線音頻傳輸系統(tǒng)等室外數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用中的紅外線音、視頻數(shù)據(jù)傳輸,這些應(yīng)用通
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        Vishay推出新型第三代TrenchFET功率MOSFET系列的首款器件

        •   Vishay推出新型第三代 TrenchFET? 功率 MOSFET 系列的首款器件。該器件具有破紀(jì)錄的導(dǎo)通電阻性能和導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積指標(biāo)。   新型 TrenchFET 第三代 Si7192DP 是一款采用 PowerPAK? SO-8 封裝的 N 溝道器件,在 4.5V 柵極驅(qū)動(dòng)電壓下具有 2.25 毫歐的最大導(dǎo)通電阻。導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積是 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中 MOSFET 的關(guān)鍵優(yōu)值系數(shù)(FOM),Vishay 推出的Si7192DP器件的 FOM 值為 98
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        Vishay推出采用Int-A-Pak封裝具有75A-200A高額定電流的新系列半橋IGBT模塊

        •   Vishay Intertechnology宣布推出采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn) Int-A-Pak 封裝的新系列半橋絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)。該系列由八個(gè) 600V 及 1200V 器件組成,這些器件采用多種技術(shù),可在標(biāo)準(zhǔn)及超快速度下實(shí)現(xiàn)高開關(guān)工作頻率。   日前推出的這八款新器件采用可滿足各種應(yīng)用需求的三種不同 IGBT 技術(shù)。GA100TS60SFPbF 和GA200HS60S1PbF采用標(biāo)準(zhǔn)穿通 (PT) IGBT 技術(shù),而GA200TS60UPbF、GA75TS120UPbF 及 GA100TS1
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        Vishay推出采用三種標(biāo)準(zhǔn)芯片尺寸的新型鉑SMD倒裝片溫度傳感器

        •   日前,Vishay推出具有三種標(biāo)準(zhǔn)芯片尺寸 — 0603、0805 及 1206 — 采用先進(jìn)薄膜技術(shù)的新型鉑 SMD 倒裝片溫度傳感器。這些器件具有 ≤5s(空中)的較短反應(yīng)時(shí)間以及 -55°C~+155oC 的溫度范圍。   由于采用高度受控的鉑金屬薄膜制造工藝,這些新型 Vishay Beyschlag 倒裝片傳感器具有 <±0.04% 的出色溫度特性穩(wěn)定性,甚至在長(zhǎng)期及寬泛的溫度范圍內(nèi)也是如此,這可在汽車電子設(shè)備、工業(yè)電子設(shè)
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        Vishay 推出新型四通道、六通道及八通道 EMI 濾波器

        • 賓夕法尼亞、MALVERN — 2008 年 2 月 6 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布推出采用超緊湊型 LLPXX13 無鉛封裝的六款新型四通道、六通道及八通道 EMI 濾波器。 憑借 0.6 毫米的超薄厚度,新型 VEMI 濾波器系列可在面向移動(dòng)計(jì)算、移動(dòng)通信、消費(fèi)類、工業(yè)及醫(yī)療應(yīng)用的便攜式電子設(shè)備中節(jié)省板面空間,以及提供 ESD 保護(hù)。 新型濾波器包括四通道 VEMI45AB-HNH 和VE
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        Vishay發(fā)布小型超高精度 Z 箔電阻

        • 賓夕法尼亞、MALVERN — 2008 年 2 月 8 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布推出小型超高精度 Z202系列 Z 箔電阻,當(dāng)溫度范圍在 0°C 至 +60°C 時(shí),該電阻具有 ±0.05 ppm/°C 的典型 TCR、±5 ppm 的 PCR(自身散熱產(chǎn)生的 ?R)(額定功率下)、±0.01% 的容差和 ±0.01% 的
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        Vishay 推出首款 Power Metal Strip 電阻

        • 賓夕法尼亞、MALVERN — 2008 年 2 月 13 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布推出兩款高性能表面貼裝 Power Metal Strip? 電阻,這兩款電阻是業(yè)界率先采用 3921 及 5931 封裝尺寸且工作溫度范圍介于 –65°C~+275°C 的此類器件。 新型 WSLT3921 及WSLT5931器件的專有結(jié)構(gòu)將固體金屬鐵鉻合金電阻元件與低 TC
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        Vishay最新3V紅外接收器系列具更高靈敏度

        •   日前,Vishay宣布利用可在光線較低的情況下將器件靈敏度提高一倍的新一代IC升級(jí)其3V紅外接收器的性能。該IC是IR接收器性能的主要決定因素之一,此外還有光電二極管及光封裝本身。靈敏度會(huì)直接影響接收器的接受范圍,并且在大多數(shù)紅外接收器應(yīng)用中極為重要。   憑借新器件實(shí)現(xiàn)的進(jìn)一步改進(jìn)包括器件工作電流降低了70%,為0.35mA;2.5V~5.5V的更廣泛電壓范圍;更出色的EMI及ESD抗擾性。從本月開始,該新型IC將成為所有采用通孔封裝的Vishay3V及5V紅外接收器的標(biāo)準(zhǔn)功能。這些更新的器件可在
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        Vishay推出長(zhǎng)壽命CLCC-6陶瓷封裝SMD LED

        •   Vishay推出采用CLCC-6扁平陶瓷封裝的第一個(gè)高強(qiáng)度黃色、淡黃色及白色功率SMDLED系列,該系列LED具有40K/W或60K/W的低熱阻以及2800mcd~9000mcd的高光功率,主要面向?qū)崦舾械膽?yīng)用。   憑借僅0.9mm的超薄厚度,VLMK62,VLMY62,及VLMW62器件的CLCC-6扁平陶瓷封裝允許使用額外電流驅(qū)動(dòng),以實(shí)現(xiàn)最大光輸出,同時(shí)可保持最長(zhǎng)50,000小時(shí)的較長(zhǎng)使用壽命,從而使它們?cè)跓峁芾頌殛P(guān)鍵考慮因素的應(yīng)用中成為理想光源。   這些新型LED專門針對(duì)汽車與運(yùn)輸、消
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        Vishay推出黃色、淡黃色、暖白色及白色1W功率SMD LED

        •   Vishay宣布推出新系列黃色、淡黃色、暖白色及白色1W功率SMD LED。 Little Star VLMK71..、VLMY71..、VLMW71..及VLMW711..系列為眾多應(yīng)用提供了低熱阻及高光強(qiáng)度。新型Little Star LED采用具有6.0mm
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        Vishay推SMD紅外接收器模塊TSOP85..系列

        •   VishayIntertechnology,Inc.宣布推出具有Vishay最高敏感度/尺寸比的新系列表面貼裝(SMD)紅外接收器模塊。新型TSOP85..系列器件可在紅外遙控、數(shù)據(jù)傳輸及光障應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)距離操作,主要用于需要超薄、超小型元件的便攜式系統(tǒng)。典型的終端產(chǎn)品包括小型手持式設(shè)備,例如筆記本電腦、數(shù)碼相機(jī)與視頻設(shè)備、音樂與視頻播放器及導(dǎo)航設(shè)備。   在光模塊中,縮小封裝尺寸將減小透鏡大小,從而可降低敏感度以及縮短作用距離。但TSOP85..系列器件通過添加另一個(gè)透鏡及光敏二極管抵消了這種影響
        • 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  Vishay  SMD  紅外接收器模塊  遙控技術(shù)  

        Vishay推SMR1DZ/SMR3DZ Z箔表面貼裝電阻

        Vishay推新型SMNZ超高精度Z箔四電阻網(wǎng)絡(luò)

        • 日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布推出新型SMNZ超高精度Z箔四電阻網(wǎng)絡(luò),該器件在0℃~+60℃時(shí)具有
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        Vishay推MAP封裝298D系列固體鉭芯片電容

        •     日前,VishayIntertechnology,Inc.(威世)宣布,公司已擴(kuò)展了其298D系列MicroTan固體鉭芯片電容器,新器件在兩個(gè)小型模塑封裝尺寸中具有業(yè)界最佳的電容電壓額定值。      通過充分利用已獲專利的MAP(多陣列封裝)裝配技術(shù),Vishay的298DMicroTan電容器已得到擴(kuò)展,可在面積為1.60mm
        • 關(guān)鍵字: 消費(fèi)電子  Vishay  MAP  298D  模擬IC  電源  

        Vishay新HE3液體鉭電容適合各種惡劣環(huán)境

        •     日前,VishayIntertechnology,Inc.(威世)宣布推出在市場(chǎng)上所有類似器件中具有最高電容的新型液體鉭高能電容器。HE3采用含SuperTan技術(shù)的獨(dú)特封裝設(shè)計(jì),可在高能應(yīng)用中提高可靠性及性能。      Vishay的HE3專門針對(duì)高可靠性航空電子及軍用設(shè)備中的能量存儲(chǔ)及脈沖功率應(yīng)用而進(jìn)行了優(yōu)化,該器件采用密封的純鉭封裝,可在高壓力及惡劣環(huán)境中使用。     
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        vishay介紹

        威世(VISHAY)集團(tuán)成立于1962年,總部位于美國(guó)賓夕法尼亞洲。40多年中威世集團(tuán)通過科技創(chuàng)新和不斷的并購, 迅速發(fā)展成為世界上最大的分離式半導(dǎo)體和無源電子器件制造商之一。目前集團(tuán)已有69個(gè)制造基地遍布全球17個(gè)國(guó)家,其中中國(guó)大陸有7家制造業(yè)工廠分別坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集團(tuán)被美國(guó)財(cái)富雜志評(píng)為半導(dǎo)體領(lǐng)域“2004、2005年度全美最讓人欽佩的公司”。其產(chǎn)品被廣泛地應(yīng)用于工業(yè)、計(jì)算機(jī) [ 查看詳細(xì) ]

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