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        vd-mosfet 文章 最新資訊

        高精度MOSFET設計技巧

        • 隨著個人計算機行業向著工作電流為200A的1V核心電壓推進,為了滿足那些需求,并為該市場提供量身定制新型器件所需要的方法,半導體行業正遭受著巨大的壓力。過去,MOSFET設計工程師只要逐漸完善其性能就能滿足市場的
        • 關鍵字: MOSFET  高精度  設計技巧    

        IR推出新系列40V至200V車用MOSFET

        • 全新溝道 HEXFET 功率 MOSFET 系列采用多款表面貼裝器件 (SMD) 封裝,電壓范圍從 40V 至 200V。標準和邏輯電平柵級驅動 MOSFET 都為 IR 車用塑料封裝 MOSFET 產品系列設定了導通電阻性能新標準。基準導通電阻在 40V 下最大為 1.25 毫歐,60V 下最大為2.1 毫歐,75V 下為 2.6 毫歐,100V 下為 4.0 毫歐。在 D2Pak-7P 封裝中許多器件的最大額定電流達 240A。
        • 關鍵字: IR  MOSFET  

        新日本無線推出有30V耐圧、4A輸出的半橋驅動器

        • 為了減輕對環境的影響,最新的電子設備急需高效率化,并且對其中配備的電機、LED等功率器件的控制也逐漸形成用微處理器/DSP等來控制的趨勢(軟件控制)。因此,電子設計工程師除了需要微處理器/DSP的知識之外,關于功率器件的驅動知識也是必不可少。
        • 關鍵字: 新日本無線  MOSFET  驅動器NJW4800  

        IR推出新系列40V至200V車用MOSFET

        • 全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日推出車用 MOSFET 系列,可為一系列應用提供基準導通電阻 (Rds(on)) ,包括電動助力轉向系統 (EPS) 、集成式起動發電機 (ISA) 泵和電機控制,以及內燃機 (ICE) 和混合動力汽車平臺上的其它重載應用。
        • 關鍵字: IR  MOSFET  

        英飛凌推單P溝道40V汽車電源MOSFET

        •   英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產品系列。全新的40V OptiMOS P2產品為能效改進、碳減排和成本節約樹立了行業新標桿,從而進一步鞏固英飛凌在新一代汽車電源管理應用領域的領導地位。   新推出的器件系列采用多種標準封裝,電流范圍為50A至180A,囊括30多個器件型號,其中包括通態電阻最低的車用P溝道40V MOSFET。180A是P溝道工藝的基準。
        • 關鍵字: 英飛凌  汽車電源  MOSFET  

        Intersil推出全球首款高速雙通道6A MOSFET驅動器

        • 2011 年 9 月 13 日— Intersil公司(納斯達克全球交易代碼:ISIL)今天推出業內首款雙6A峰值電流驅動能力的雙通道MOSFET驅動器---ISL89367。此款獨特器件為設計人員提供了高速驅動多個并聯大電流功率MOSFET的集成解決方案,非常適合用于開關電源、電機驅動器和D類放大器等應用。
        • 關鍵字: Intersil  MOSFET  

        英飛凌推出的汽車電源管理OptiMOS P2芯片

        • 英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)近日宣布推出采用先進溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產品系列。全新的40V OptiMOS P2產品為能效改進、碳減排和成本節約樹立了行業新標桿,從而進一步鞏固英飛凌在新一代汽車電源管理應用領域的領導地位。
        • 關鍵字: 英飛凌  MOSFET  40V OptiMOS P2  

        淺談如何提升輕載能效及降低待機功耗

        • 隨著家用電器、視聽產品的普及,辦公自動化的廣泛應用和網絡化的不斷發展,越來越多的產品具有了待機功能,以隨時...
        • 關鍵字: 待機功耗  MOSFET  

        MOSFET及MOSFET驅動電路總結

        • 在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候,大部分人都會考慮MOS的導通電阻,最大電壓等,最大電流等,也...
        • 關鍵字: MOSFET  MOSFET驅動電路  

        PMOS開關管的選擇與電路圖

        • 首先要進行MOSFET的選擇,MOSFET有兩大類型:N溝道和P溝道。在功率系統中,MOSFET可被看成電氣開關。當在N溝道M...
        • 關鍵字: PMOS  開關管  MOSFET  二極管  

        安森美半導體推出汽車級非同步升壓控制器

        •   應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)推出用于汽車系統自安嶄新的可調節輸出非同步升壓控制器。   NCV8871是一款輸入電壓范圍為3.2伏(V)至44 V的寬輸入電壓器件,能用于驅動外部N溝道MOSFET。此器件包含的內部穩壓器為門驅動器提供電荷,它在休眠模式下的靜態電流為3.0微安(µA),使功耗降至最低。它還具有可同步開關頻率特性,提供兩種分別可設定為典型值170 kHz或是典型值1 MHz的版本
        • 關鍵字: 安森美半導體  MOSFET  非同步升壓控制器  NCV8871  

        NXP推出超緊湊型中等功率MOSFET

        •   恩智浦半導體NXP 日前宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝的超緊湊型中等功率晶體管和N溝道Trench MOSFET產品PBSM5240PF。DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝占位面積僅有2 x 2 mm,高度僅為0.65 mm,專門針對諸如移動設備等高性能消費產品的小型化發展趨勢而設計。   
        • 關鍵字: NXP  MOSFET  

        Vishay推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET

        • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,發布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiB437EDKT。此外,SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導通的此類器件。
        • 關鍵字: Vishay  MOSFET  

        恩智浦推出超緊湊型電源管理解決方案

        • 恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ: NXPI) 今日宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝的超緊湊型中等功率晶體管和N溝道Trench MOSFET產品PBSM5240PF。DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝占位面積僅有2 x 2 mm,高度僅為0.65 mm,專門針對諸如移動設備等高性能消費產品的小型化發展趨勢而設計。
        • 關鍵字: 恩智浦  MOSFET  PBSM5240PF  
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